Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 17: Модули Apacer DDR2-667


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В нашем очередном исследовании мы рассмотрим 1-ГБ пару модулей DDR2-667 производства Apacer — на сегодняшний день, можно сказать, вполне обычное предложение среди данной категории.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Apacer Technology Inc.
Производитель микросхем модуля: Elpida Memory, Inc.
Сайт производителя модуля:
www.apacer.com/en/products/Desktop_Memory_DDR2.htm
Сайт производителя микросхем модуля:
www.elpida.com/en/products/ddr2.html

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Фото микросхемы памяти

Под стильной золотой крышкой-теплоотводом стандартной конструкции скрывается вполне обычная «планка» памяти, на которой невооруженным глазом можно разглядеть 8 используемых микросхем DDR2-памяти производства Elpida.

Важно заметить, что сам радиатор, по большей части, можно считать просто красивой декорацией, поскольку, как показано на приведенной выше фотографии, клейкая теплопроводящая прослойка вообще не касается большинства микросхем памяти, расположенных по краям модуля — исключение составляют, пожалуй, лишь две, максимум — четыре центрально расположенные микросхемы. Поскольку рассматриваемые модули являются серийными, а не инженерными образцами, мы считаем нужным обратить внимание читателей на этот факт. Проблема связана с достаточно большой шириной теплоотвода, явно рассчитанного для охлаждения микросхем двухбанковых модулей памяти. Решение этой проблемы тривиально — использовать более толстую прослойку (причем не обязательно обладающую высокой теплопроводностью) с тыльной стороны модуля. Тем не менее, по каким-то причинам производитель пока что не потрудился этого сделать. Будем надеяться, что ситуация изменится в дальнейшем.

Part Number модуля и микросхемы

Расшифровка Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на эту продукцию, на сайте производителя отсутствует. Тем не менее, расшифровка обозначений на модуле достаточно очевидна — рассматриваемый продукт представляет собой 512-МБ небуферизованный модуль памяти скоростной категории PC2-5300 (т.е. DDR2-667), функционирующий при величине задержки CAS# tCL = 5.

Расшифровка Part Number микросхемы

Описание технических характеристик (data sheet) 512-Мбит микросхем памяти DDR2 Elpida: www.elpida.com/pdfs/E0562E61.pdf

Поле Значение Расшифровка
0 E Производитель: E = Elpida Memory
1   Тип (отсутствует, D = монолитное устройство)
2   Код продукта (отсутствует, E = DDR2)
3 51 Емкость/количество банков: 51 = 512Мбит/4 банка
4 08 Ширина внешнего интерфейса микросхем памяти: 08 = x8
5 A Протокол питания: A = SSTL 1.8V
6 E Ревизия кристалла
7   Код упаковки (отсутствует, SE = FBGA)
8 6E Параметры быстродействия микросхемы: 6E = DDR2-667 (5-5-5)
9 E Код охраны окружающей среды: E = без использования свинца

Маркировка микросхем данного модуля несколько не соответствует официальной спецификации, приведенной в технической документации данного типа микросхем. А именно, отсутствуют поля, характеризующие тип устройства (монолитное, DDR2) и упаковки (FBGA). То же самое наблюдалось ранее и в других модулях памяти DDR2 с микросхемами Elpida, например, модулях бюджетной серии DDR2 Kingston ValueRAM.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 60h 1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 2Dh 45.0 нс
15, CL = 5
12, CL = 4
9, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 3Ch, 00h 60.0 нс
20, CL = 5
16, CL = 4
12, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 69h, 00h 105.0 нс
35, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 DDh 221 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 7Ah Apacer Technology
Part Number модуля 73-90 FFh…FFh Неверно
Дата изготовления модуля 93-94 FFh, FFh Неверно
Серийный номер модуля 95-98 FFh, FFh,
FFh, FFh
Неверно

Содержимое SPD, относящееся к таймингам памяти, выглядит стандартно для модулей типа DDR2-667. Поддерживаются все 3 значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому соответствует период синхросигнала 3.0 нс (частота 333.3 МГц, режим DDR2-667), схема таймингов для этого случая соответствует первому официальному стандарту DDR2-667 — 5-5-5-15 (более поздние версии стандарта допускают существование более скоростной схемы 4-4-4-12). Уменьшенному значению задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 3.75 нс (режим DDR2-533) и тайминги 4-4-4-12, на сегодняшний день также несколько «устаревшие» для этого режима. Наконец, последняя величина задержки CAS# (CL X-2 = 3) связана с периодом синхросигнала 5.0 нс (т.е. режимом DDR2-400) и схемой таймингов 3-3-3-9. Можно отметить также немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), впрочем, весьма согласующегося с общей «консервативностью» таймингов рассматриваемых модулей. Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя прописаны верно, в то же время, отсутствуют адекватные данные о Part Number, дате изготовления и серийном номере модуля — все соответствующие поля «забиты» кодами FFh.

Конфигурации тестовых стендов

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667

Результаты тестирования

Тесты производительности

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). На используемой для тестов материнской плате ASUS P5WD2-E она выставилась в соответствии с данными, прописанными в SPD.

Параметр Стенд 1 Стенд 2*
Тайминги 5-5-5-15 5-5-5-15
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5383 6400
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2101 2296
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6633 8342
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4282 5677
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 56.6 50.1
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 66.1 57.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 116.2 102.9
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 140.4 121.0
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
87.2 77.8
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
113.0 96.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
117.0 104.0
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
143.0 123.1

*частота FSB 266 МГц
**размер блока 16 МБ

По приведенным выше результатам видно, что рассматриваемые модули характеризуются достаточно средними скоростными характеристиками (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем обычно составляют примерно 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и порядка 9 ГБ/с при 266 МГц). То же самое можно сказать и о задержках при доступе в память (латентностях), которые оказываются ниже при частоте системной шины 266 МГц, но, тем не менее, все равно выше по сравнению с типичными значениями для производительных модулей DDR2-667 (порядка 70 нс при псевдослучайном обходе с отключением аппаратной предвыборки — что можно считать истинной характеристикой латентности памяти как таковой).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр* Стенд 1 Стенд 2*
Тайминги 4-4-4 4-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5490 6608
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2344 2681
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6675 8464
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4282 5684
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 54.5 47.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 64.0 55.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 110.1 96.5
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 134.4 115.6
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
83.7 73.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.8 93.1
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
110.9 97.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.5 116.7

*частота FSB 266 МГц
**размер блока 16 МБ

Как видно из представленной выше таблицы, в этой серии тестов без потери устойчивости нам удалось достичь минимальных значений таймингов 4-4-4 — можно сказать, типичные для производительных модулей DDR2-667 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется — его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Выставление такой схемы таймингов незначительно сказывается на величинах ПСП (что вполне предсказуемо), но приводит к некоторому снижению задержек при доступе в память (примерно на 3-4 нс при псевдослучайном обходе и 6-7 нс при случайном обходе).

Итоги

Протестированные модули памяти Apacer DDR2-667, учитывая их объем и скоростные характеристики, можно считать вполне «средним» решением в данной категории. Минимальные значения таймингов, которые позволяют достичь эти модули в режиме DDR2-667, 4-4-4, выглядят достаточно скромно, поскольку являются нормой для современных высокопроизводительных модулей памяти типа DDR2-667. Более того, рассмотренные серийные образцы модулей не лишены конструктивного недостатка, заключающегося в отсутствии надлежащего контакта теплопроводящей пластины теплоотвода с большинством микросхем памяти, расположенных по краям модуля.


Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Apacer DDR2-667 512MB CL5  Н/Д(0)




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.