DRAM
Компания заявила, что рост цен на память, вызванный спросом дата-центров для ИИ, сделал невозможным выпуск нового доступного смартфона CMF в привычном ценовом сегменте
Выпуск старых модулей памяти и материнских плат возобновляют из-за роста цен и нехватки компонентов, а дефицит DRAM и NAND может сохраниться до конца 2027 года
На фоне ограниченного предложения и растущего спроса DDR4 становится одним из основных драйверов подорожания рынка оперативной памяти в сентябре
HBM и DDR5 для серверов становятся ключевыми факторами роста DRAM
Что касается цен на флэш-память типа NAND, они остаются практически неизменными
На фабрике Line-16 уже начат выпуск памяти типа DDR3 DRAM по технологии 20-нанометрового класса
В этом году цены на DRAM продолжат снижаться, говоря аналитики
Наиболее распространенными пока будут модули объемом 4 ГБ
Объемная компоновка помогает уменьшить размеры микросхем
Новая технология позволяет получить микросхему толщиной 0,8 мм
Объединение поможет противостоять Samsung Electronics
В июле цена модуля DDR3 объемом 2 ГБ приблизится к $16,5
Партнеры ориентируются на технологические нормы «28 нм и менее»
Аналитики прогнозируют рост рынка DRAM
Компания Elpida Memory отчиталась за квартал и год
Samsung Electronics диктует цены на контрактном рынке DRAM
Начало мая принесло повышение цен на DRAM
Elpida Memory announced it had developed a 2-gigabit DDR3 SDRAM using the 25-nm process for memory manufacturing. In doing this, Elpida has achieved the smallest chip size for a 2-gigabit SDRAM. The newly developed 25-nm DRAM process technology requires
Elpida Memory первой начинает выпуск 25-нанометровой памяти типа DRAM
Массовый выпуск чипов DDR3-1866 плотностью 2 Гбит начнется в июле
Elpida Memory today announced that mass production of 30-nm 2-gigabit DDR3 SDRAM for PC applications will start in May 2011, followed by 4-gigabit DDR2 Mobile RAM and 4-gigabit DDR3 SDRAM. The company completed development of advanced 30-nm process DRAM
Hynix Semiconductor today announced that it has developed 2-gigabit DDR4 DRAM and DDR4-DRAM-based 2GB ECC-SODIMM modules applying the 30-nm process technology. DDR4 DRAM is the next-generation memory that consumes less power and transfers data twice as
Альянс Elpida Powerchip, Rexchip и ProMOS мог бы успешнее противостоять южнокорейским производителям памяти Electronics и Hynix Semiconductor
Память wide I/O mobile DRAM в восемь раз превосходит DDR DRAM по пропускной способности
По подсчетам аналитиков компании IHS iSuppli, рынок динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), предназначенной для мобильных устройств, за год вырастет на 71%, вопреки замедлению роста на рынке DRAM в целом. Взрывной рост приведет к тому, что до
По данным аналитической компании inSpectrum, специализирующейся на изучении рынка памяти типа DRAM и флэш-памяти типа NAND, контрактные цены на основные виды памяти типа DRAM в феврале стабилизировались. Это важный момент, поскольку ему предшествовало шес
Замедление на рынке типа DRAM в целом в этом году будет соседствовать с взрывным ростом спроса на память этого типа, используемую в планшетах. За 12 месяцев спрос вырастет более чем в девять раз, уверены специалисты аналитической компании IHS iSuppli. В 2
Под влиянием растущего спроса на специализированные микросхемы памяти типа DRAM, mobile RAM, и флэш-память типа NAND, ведущие производители охотно переориентируют свои мощности, рассчитанные на 300-миллиметровые пластины, сокращая выпуск памяти DRAM для П
