Компания Samsung на этой неделе сообщила о начале серийного выпуска «обширной линейки передовых решений в области памяти, разработанных для автономных электромобилей следующего поколения». Новая линейка включает 256-гигабайтный твердотельный накопитель PCIe Gen3 NVMe в корпусе BGA, микросхемы памяти GDDR6 DRAM объемом 2 ГБ и DDR4 DRAM объемом 2 ГБ для высокопроизводительных информационно-развлекательных систем, а также микросхемы памяти GDDR6 DRAM объемом 2 ГБ и модуль флеш-памяти Universal Flash Storage (UFS) объемом 128 ГБ для систем автономного вождения.
По словам производителя, расширенные функции информационно-развлекательных систем, такие как карты высокой четкости, потоковое видео и 3D-игры, вместе с растущим использованием автономных систем вождения, вызвали спрос на высокопроизводительные твердотельные накопители большой емкости и графическую память DRAM во всей автомобильной промышленности.
Контроллер упомянутого выше твердотельного накопителя Samsung и встроенное ПО для него разработано собственными силами. Накопитель обеспечивает скорость последовательного чтения 2100 МБ/с и скорость последовательной записи 300 МБ/с, соответственно в семь и два раза быстрее, чем сегодняшние модули eMMC. Память DRAM GDDR6 объемом 2 ГБ обеспечивает скорость передачи данных до 14 Гбит/с в расчете на каждый вывод. Высокие скорости необходимы для сложной обработки данных в различных мультимедийных приложениях, а также для работы с большими объемами данных в задачах автономного вождения.
Все новые автомобильные решения Samsung соответствуют стандарту автомобильной надежности AEC-Q100, стабильно работая при температурах от -40°C до + 105°C.