Samsung приступила к массовому производству микросхем памяти HBM второго поколения

Samsung начала производить 4-гигабайтные микросхемы памяти HBM2

Неделю назад организация JEDEC Solid State Technology Association опубликовала спецификации обновлённой памяти HBM, которую также можно назвать HBM2. Такая память должна появиться на новых флагманских видеокартах Nvidia и AMD, которые выйдут в текущем году.

Samsung же сообщила, что приступила к массовому производству такой памяти, тогда как микросхемы памяти первого поколения производила лишь Hynix. Сейчас корейский гигант приступил к выпуску микросхем объёмом 4 ГБ. Если быть точным, то стеков такого объёма, каждый из которых состоит из четырёх микросхем плотностью 8 Гбит. Они производятся по 20-нанометровому техпроцессу.

Использование четырёх таких стеков, как несложно подсчитать, позволит оснащать видеокарты 16 ГБ памяти. Но спецификации обновлённой памяти HBM позволяют выпускать стеки объёмом 8 ГБ. К производству такой продукции Samsung приступит в течение года, хотя для потребительских видеокарт 32 ГБ памяти совершенно излишни. Напомним также, что пропускная способность новой памяти достигает 256 ГБ/с.