По современным меркам, 2 ГБ оперативной памяти все чаще фигурируют не в качестве оптимального, а минимального, объема, когда речь идет о комплектации универсального компьютера. А аппетиты Windows Vista и современных игр, в свою очередь, стимулируют наиболее активную часть пользователей выбирать среди 4-гигабайтных комплектов. На сайте Corsair приведено любопытное исследование производительности конфигураций с 2 и 4 ГБ памяти, где на примере ряда современных игр, доказывается, что такой объем не будет простаивать уже сейчас. И даже если вы скептически относитесь к «фирменным» тестированиям, едва ли станете отрицать, что тенденции к росту объемов, занимаемых программными модулями в памяти, очевидна. Разумеется, неиспользуемые в данный момент, могут храниться в виртуальной памяти, на жестком диске, но если переключение между программами, вызывает томительную паузу для подкачки данных, многозадачная среда сильно теряет в привлекательности.
Еще одна причина позаботиться о 4 ГБ комплекте уже сейчас (при покупке нового компьютера), состоит в том, что расширение массива памяти за счет добавления пары модулей, к двум имеющимся, всегда отрицательно сказывается на производительности. Даже если в будущем удастся найти такую же пару модулей (что на практике маловероятно), наверняка придется ограничиться более мягкими таймингами, а если память была разогнана, снизить и частоты.
В то же время, известно, что модули большого объема изначально имеют ограниченные способности в части разгона (сказывается двухбанковая организация), и именно поэтому не пользуются почетом среди экстремальных сторонников разгона. Однако наборы емкостью 4 ГБ с гарантированной производителем высокой частотой существуют, и мы рассмотрим комплект, пожалуй, с рекордной для этого объема частотой — 1142 МГц при сохранении стандартной схемы таймингов (5-5-5-15) и относительно невысокого для оверклокерских модулей напряжения (2,1 В).
Производитель модуля: Corsair Memory
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.corsairmemory.com/corsair/dominator.htmlВнешний вид модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти на сайте производителя отсутствует. В описании на сайте сообщается, что TWIN2X4096-9136C5DF представляет собой комплект из двух одинаковых модулей суммарным объемом 4096 МБ. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5-18 и питающем напряжении 1,8 В, а также DDR2-1142 с таймингами 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 08h | 8 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 30h | CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 37h | 3,7 нс (270.3 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18, CL = 5 12, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 01h | 1024 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6, CL = 5 4, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 06h | 57.0 нс 23, CL = 5 16, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 7Fh, 06h | 127.0 нс 51, CL = 5 35, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 0Dh | 13 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 9Eh | Corsair |
| Part Number модуля | 73-90 | — | CM2X2048-9136C5D |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 08h, 0Ch | 2008 год, 12 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
В SPD поддерживаются два значения задержки сигнала CAS# — 5 и 4. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2,5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-18 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует нестандартный режим DDR2-540 (время цикла 3,7 нс, частота 270,3 МГц), но также со схемой таймингов, выраженной целыми числами (4-4-4-12). Но едва ли кто решит снизить частоту памяти столь существенно, чтобы воспользоваться более жесткими таймингами.
Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя имеется, а серийный номер отсутствует, Part Number модуля полностью соответствуют указанному на самих модулях.
Как и во всех высокочастотных модулях Corsair, имеется поддержка расширенного профиля EPP (дополнительной информации, записываемой в SPD и соответствующей режимам работы с повышенной частотой). В этом отношении надо отметить, что практического широкого распространения EPP к сегодняшнему дню так и не получила (хотя с момента опубликования стандарта прошло ровно два года). По-прежнему чтение данных из EPP поддерживается лишь на платах с чипсетами NVIDIA, включая, впрочем, и наиболее современные, вплоть до nForce 780a. В BIOS строчки, соответствующие настройке памяти с использованием данных из профилей EPP, следует искать под названием SLI-Ready Memory (хотя ничего общего с собственно функционированием видеокарт в SLI-режиме, эти настройки не имеют, это просто не совсем удачное маркетинговое название). Остальным производителям чипсетов, этот открытый, но неофициальный, стандарт, вероятно, не приглянулся по причине того, что организация JEDEC не поддержала это расширение официально. Хотя в отличие от разработчиков чипсетов, производители памяти откликнулись гораздо активнее. Модули с поддержкой EPP доступны от всех ведущих производителей памяти, включая Kingston, OCZ, Transcend и других.
С точки зрения пользователя, поддержку EPP нельзя назвать принципиально важной. На первый взгляд, возможность автоматически выбрать заявленные частоту и тайминги в сочетании с повышенным напряжением выглядит логично (если производитель памяти продает модули как, скажем DDR2-1234, и гарантирует работу именно на такой частоте, пусть пропишет необходимые тайминги и напряжения в SPD). Но с другой стороны, нестандартная частота памяти таковой и является, потому что поддерживается не везде, зачастую для достижения такой частоты требуется повышать частоту шины. Что ведет за собой разгон процессора, и в некоторых случаях требует пропорциональной коррекции множителей для периферийных шин, а то и напряжений процессора и чипсета. Словом, в каждом конкретном случае может потребоваться дополнительная настройка, иначе компьютер, автоматически считав режим из EPP, может либо вовсе не загрузиться, либо будет работать нестабильно.
А если ручной настройки все равно не избежать (и покупатели модулей для разгона, как правило, в курсе, что именно нужно настраивать), не представляет сложности и вручную выставить напряжение и тайминги. Желательно лишь, чтобы они были четко пропечатаны на стикерах, на самих модулях или на упаковке. И самое главное, каким бы оверклокерским по назначению ни являлся данный модуль, он должен поддерживать работу на стандартной частоте и напряжении, чтобы пользователь, как минимум, мог гарантированно запустить компьютер и войти в BIOS. Автоматическое считывание данных из EPP при первом запуске нам не встречалось ни на одной плате. Но, давайте, все же посмотрим, какие значения записал производитель в область EPP на рассматриваемых модулях
Описание стандарта EPP:DDR2 UDIMM Enhanced Performance Profiles, revision 01
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | B1h | Расширенные профили |
| Профиль оптимальной производительности | 103 (1:0) | 01h | Профиль 1 |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 02h | Профиль 0: отсутствует Профиль 1: присутствует |
| Профиль №1 | |||
| Уровень питающего напряжения | 116 (6:0) | 8Сh | 2.1 В |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 116 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (tCK) | 121 | 1Dh | 1.75 нс (571.4 МГц) |
| Задержка CAS# (tCL) | 122 | 20h | 5 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 123 | 23h | 10.06 нс (5.75) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 124 | 23h | 10.06 нс (5.75) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 125 | 1Ah | 26.0 нс (15) |
| Период восстановления после записи (tWR) | 126 | 38h | 14.0 нс (8.0) |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 127 | 26h | 38.0 нс (21.7) |
Разработчики решили ограничиться одним расширенным профилем, куда и был записан «почти» тот самый режим, который производитель официально рекомендует в качестве максимального для модулей. Вернее, частота DDR2-1142 (время цикла 1,75 нс, опорная частота 571,4 МГц) и напряжение (2,1 В) корректны, а схема таймингов дробная: 5-5.75-5.75-15, и, очевидно, должна быть округлена до 5-6-6-15. Видимо, таким образом, было решено слегка смягчить автоматически выбираемый режим, по сравнению с рекомендациями для разгона вручную.
Жаль, что разработчики не воспользовались вторым профилем, тогда как даже более насущным и практически полезным было бы внести настройки для режима DDR2-1066, который современными системами поддерживается в качестве штатного (то есть доступен без увеличения частоты шины и какого-либо разгона, а за счет установки соответствующего множителя для получения такой частоты памяти). На наш взгляд, именно для таких режимов, ставших стандартными де-факто, но не попавшими в спецификации JEDEC, и есть смысл, в первую очередь, использовать возможность записи параметров в профиле EPP. Поскольку такие режимы могут использоваться не только разгонщиками, но и пользователями, желающими максимально эксплуатировать систему в штатном режиме, но не хотели бы самостоятельно вникать в настройки таймингов и напряжения. Конфигурация тестового стенда
- процессоры: AMD Phenom 9700 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B2, TLB Patch выключен в BIOS и AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B3;
- чипсет: AMD 790FX;
- материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1001.
Как показали наши исследования, в максимальной степени реализовать потенциал двухканальной высокочастотной DDR2-памяти на сегодняшний день способны системы на основе процессоров AMD Phenom. Заодно с тестированием модулей памяти, на этот раз мы решили сравнить производительность контроллеров памяти у процессоров ревизии B2 и обновленной B3.
В тестированиях мы пользуемся ganged (объединенным) режимом работы контроллера памяти в процессорах Phenom, который обеспечивает более высокие результаты в режиме одноядерного доступа, а значит, и в задачах, где критическим является скорость исполнения какого-то одного основного потока. Для компьютеров, на которых запускаются многопоточные приложения с равным приоритетом, лучше использовать режим unganged. Параметр Command Rate устанавливался равным 2T, все тайминги, за исключением четырех основных, выбирались BIOS автоматически.
| Corsair TWIN2X4096-9136C5DF | Chaintech DDR2-1100 | ||||
| Процессор: AMD Phenom | 9750 | 9750 | 9750 | 9700 | 9700 |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 533 (1066) | 570 (1140) | 575 (1150) | 575 (1150) | 575 (1150) |
| Частота контроллера памяти в процессоре, МГц (DDR2 МГц) | 2000 (200x10) | 2140 (214x10) | 2160 (216x10) | 2160 (216x10) | 2160 (216x10) |
| Частота ядер процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2568 (214x12) | 2592 (216x12) | 2592 (216x12) | 2592 (216x12) |
| Тайминги памяти, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1,8 В | 5-5-5-15-2T, 2,1 В | 5-8-8-24-2T, 1,94 В | 5-8-8-24-2T, 1,94 В | 5-7-7-25-2T, 2,3 В |
| Минимальное напряжение при сохранении стабильности | (не изучалось) | 1,94 В | 1,94 В | 1,94 В | (не изучалось) |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 6698 | 7153 | 7064 | 7060 | 7208 |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 3725 | 3979 | 3966 | 3957 | 3912 |
| Макс. ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 7852 | 8387 | 8287 | 8281 | 8424 |
| Макс. ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 4959 | 5337 | 5392 | 5342 | 5366 |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 4 ядра | 11715 | 12495 | 12720 | 12815 | 12110 |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 4 ядра | 3945 | 4210 | 4153 | 4182 | 3810 |
| Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с), 4 ядра | 11700 | 12482 | 12680 | 12647 | 11976 |
| Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с), 4 ядра | 6280 | 6697 | 6756 | 6788 | 6786 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 31,9 | 29,9 | 30,4 | 30,1 | 29,5 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 78,5 | 73,5 | 79,2 | 79,8 | 75,9 |
*размер блока 32 МБ
Поскольку едва ли кто-то будет приобретать высокочастотные модули для эксплуатации на сниженной частоте, в качестве минимального режима мы выбрали DDR2-1066 с основной схемой таймингов. Первоначально было установлено напряжение 2,1 В, но как оказалось, модули превосходно работали и при снижении напряжения до стандартного для DDR2-памяти уровня в 1,8 В.
Следующим этапом тестирования была проверка работоспособности в режиме DDR2-1142 с таймингами 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. Процессор был немного разогнан, однако система сохраняла стабильность без повышения каких-либо напряжений и снижения множителей.
В качестве дополнительной тестовой процедуры, мы решили выяснить минимальное напряжение для каждого режима, при котором система сохраняет стабильность. Как известно, снижение напряжения заметно сказывается на тепловыделении, энергопотреблении, а для модулей памяти способствует долговечности и надежности. И здесь нас ожидал приятный сюрприз, на максимальной частоте модули стабильно работали при 1,94 В, что для иных оверклокерских модулей является стартовым значением!
А попытки разогнать модули сверх рекомендованного максимума обнаружили очень незначительный частотный потенциал, не помогало ни смягчение таймингов, ни увеличение напряжения до 2,3 В. Практический результат ограничивался одним мегагерцем прироста частоты шины (с 214 до 215 МГц). Исключительно в познавательных целях, мы попробовали снова снижать напряжение и неожиданно получили стабильную работу при 216 МГц и напряжении, равном достигнутому в предыдущем пункте (1,94 В). Однако практической ценности такой режим не имеет, поскольку потребовавшееся смягчение таймингов нивелировало прирост пропускной способности, обеспечиваемой повышением частоты, за счет увеличения латентности. Лишь при многопоточном доступе, в максимальной степени утилизирующем пропускную способность памяти, обнаружился прирост.
Сравнение результатов, снятых на процессорах Phenom ревизии B2 (без использования TLB Patch) и ревизии B3 позволяет сделать лишь вывод о практической идентичности работы контроллера памяти в обоих случаях.
Мы привели также результат, ранее протестированного 2-гигабайтного комплекта модулей памяти от Chaintech, также достигшего в разгоне частоты DDR2-1150. В среднем, память Corsair показала более высокий результат, вернее в режиме однопоточного доступа успехи Chaintech оказались чуть выше, зато в многопоточном Corsair уверенно отыгрался. Соответственно, констатируем, что Corsair удалось добиться увеличения объема, сохранив характеристики модулей на уровне аналогичным образом разогнанных 2 ГБ модулей. Итоги
Компания Corsair в очередной раз продемонстрировала свою направленность на выпуск продуктов, рассчитанных на тех, кто не согласен терпеть компромиссы и хочет «все сразу». А именно: желает установить 4 ГБ памяти двумя модулями, но при этом еще и поднять частоту до уровня оверклокерских 2 ГБ модулей. Надо признаться, мы не особо сомневались, еще до тестирования, что эта задача данным модулям по силам. Однако, оказалось, что бескомпромиссный покупатель может загадать еще одно желание — дополнительной приятной неожиданностью оказалась стабильная работоспособность модулей с максимальной частотой при напряжении всего 1,94 В.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Corsair Dominator TWIN2X4096-9136C5DF 2x2048MБ | Н/Д(0) |
