SRAM
GSI Technology начинает поставки самой быстрой в мире памяти типа Quad SRAM
Память SigmaQuad-II+ работает на частоте 633 МГц
Память Cypress SRAM QDR II+ плотностью 72 Мбит не боится радиации
Ионизирующее излучение вызывает сбои в работе интегральных микросхем. Этот факт приходится учитывать проектировщикам электроники, предназначенной для использования в авиационной и космической технике. Для защиты приходится экранировать электронные блоки и
У GSI Technology готовы микросхемы памяти SRAM SigmaQuad-II+ и SigmaDDR-II+ плотностью 72 Мбит
По сообщению компании GSI Technology, известной своими разработками в области быстродействующей памяти типа SRAM, образцы микросхем SigmaQuad-II+ и SigmaDDR-II+ плотностью 72 Мбит уже доступны для ознакомления. Всего лишь два года назад максимальный объем
Cypress выпустила первые в мире микросхемы быстрой асинхронной памяти SRAM плотностью 32 и 64 Мбит
О новом достижении в области быстрой асинхронной памяти типа SRAM объявила компания Cypress Semiconductor. Ей первой среди производителей этой продукции удалось выпустить микросхемы плотностью 32 и 64 Мбит. По словам производителя, новинки характеризуются
Создана память типа SRAM, работающая при напряжении 0,5 В
Японские специалисты разработали память типа SRAM, работающую при напряжении 0,5 В. Ее энергопотребление на 32% ниже, чем у существующих образцов памяти типа SRAM. При этом площадь ячейки не стала больше. Секрет памяти с пониженным напряжением питания з
Новая архитектура существенно повысила быстродействие памяти типа SRAM
Архитектура, разработанная в GSI Technology, обеспечивает прирост быстродействия на величину до 50%
Renesas выпускает самую быструю память QDR II+ и DDR II+ SRAM плотностью 72 Мбит
Новые микросхемы памяти предназначены для сетевого оборудования
IMEC показала 22-нанометровую память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии
Специалисты исследовательского центра IMEC, как известно, отдают предпочтение литографии в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV), когда речь заходит о наиболее вероятной технологии, которая будет применяться при производстве полупроводниковых микросх
Toshiba, IBM и AMD создали самую маленькую в мире ячейку памяти SRAM
Корпорации Toshiba, IBM и AMD объявили о совместной разработке ячейки статической памяти с произвольным доступом (Static Random Access Memory, SRAM), площадь которой равна 0,128 кв.мкм. Это самая маленькая в мире функционирующая ячейка SRAM. По размеру он
У GSI Technology готова самая быстрая память типа SRAM плотностью 18 Мбит
Компания GSI Technology, специализирующаяся на быстродействующей памяти типа SRAM, объявила о начале поставок продуктов второго поколения, имеющих плотность 18 Мбит. Новинки относятся к семействам SigmaQuad-II, SigmaDDR-II, SigmaQuad-II+ и SigmaDDR-II+. П
UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM
Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котор
Специалисты IBM создали самую маленькую в мире, 22-нм ячейку памяти SRAM
Компания IBM и ее партнеры по разработке — AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) — объявили о создании первой в мире работоспособной ячейки статический памяти с произвольным доступом (SRAM), выпо
GSI Technology анонсирует выпуск памяти NBT SRAM плотностью 144 Мбит
Компания GSI Technology объявила о выпуске статической памяти с произвольным доступом плотностью 144 Мбит. Новинка относится к семейству NBT (No Bus Turnaround) SRAM, особенностью которого является возможность выполнения сдвоенных операций чтения и записи
Integrated Silicon Solution представила асинхронную память SRAM плотностью 4 Мбит с питанием 5 В
В ассортименте компании Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), специализирующейся на быстродействующей памяти с малым энергопотреблением для мобильных устройств, сетевого оборудования, потребительской электроники и бортовых систем автомобилей, появилас
MoSys портирует 1T-SRAM в дисплеи мобильных устройств
Компания MoSys, наделавшая несколько лет назад немало шума со своими технологиями 1T-SRAM и 1T-SRAM-Q, сообщает об адаптации своей технологии для использования в дисплеях мобильных устройств и доступности макросов 1T-SRAM Dual-Port Display. Таким образом,
NEC осваивает массовый выпуск 90-нм 1T-SRAM
Как сообщает источник со ссылкой на MoSys, специализирующейся на встраиваемой в системы на чипы (SoC) памяти, ее технология 1T-SRAM, впервые представленная два с половиной года назад, теперь доступна в микросхемах для бытовой электроники, выпускаемых NEC
По следам ISSCC: NEC готовит 45-нм SRAM
В ходе конференции ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) было освещено множество вопросов, касающихся перспектив перехода на нормы выпуска полупроводниковых микросхем менее 90 нм. Разработчики из IBM, Samsung, Texas Instruments и Virage Lo
IBM создала ячейку SRAM с соблюдением 32-нм норм
Еще одно сообщение о прогрессе в области миниатюризации электроники пришло одновременно с новостью о 45-нм 6-транзисторной ячейке SRAM бельгийской IMEC. IBM также сообщает о создании ячейки SRAM, но уже с соблюдением норм 32-нм техпроцесса. Площадь ячейки
IMEC изготовил ячейку 45-нм SRAM с использованием 193-нм сканера
Бельгийский научно-исследовательский консорциум IMEC объявил о создании шеститранзисторной ячейки статической оперативной памяти (SRAM), выполненной с соблюдением норм 45-нм технологического процесса. Поскольку успешная реализация подобной ячейки является
Samsung демонстрирует 72 Мбит QDR II SRAM
Компания Samsung Electronics сообщила о завершении разработки 72 Мбит микросхем QDR II SRAM, высокопроизводительной памяти нового поколения, предназначенной для использования в сетевом оборудовании. Выпуск этих микросхем может рассматриваться
ISSI демонстрирует 36 Мбит UDR SRAM
Компания Integrated Silicon Solution Inc (ISSI) представила 36 Мбит компоненты синхронной Ultra Data Rate (UDR) SRAM; линейка микросхем включает в себя QUAD Synchronous SRAM, совместимые с QDR II-решениями. Тактовая частота UDR SRAM составляет
Intel releases 65nm 70 Mbit SRAM chips
According to Intel Japan, with an official press release the company released a 65nm 70 Mbit SRAM sample made using strained silicon technology at its Oregon fab. This is not the first such chip, as in November 2003 Intel released 4 Mbit chip (0.57 micro
Intel демонстрирует 70 Мбит чипы SRAM, выполненные по 65-нм технологии
Как сообщает японское представительство Intel официальным пресс-релизом, на фабрике в Орегоне компания выпустила образец 70 Мбит SRAM, выполненный с использованием норм 65-нм техпроцесса по технологии «напряженного кремния, strained silicon».
MoSys и Chartered выпустили 1T-SRAM-Q, применив 0,13-мкм технологию
Сразу два пресс-релиза, касающиеся однотранзисторной SRAM (1T-SRAM) поступили от разработчика технологии, компании Monolithic System Technology (MoSys). Первый пресс-релиз касается 1T-SRAM-R с технологией коррекции ошибок Transparent Error Cor
UMC-AMIC: микросхемы SRAM по 90-нм технологии
UMC, один из мировых контрактных производителей микросхем, и компания AMIC Technology, известный производитель специализированной памяти, сообщили о начале выпуска ZeBL (Zero Bus Latency) SRAM – с использованием норм 90-нм техпроцесса. Инженер
Рынок SRAM: ожидается кратковременное улучшение ситуации
После двух лет спада и года стагнаций рынок SRAM в 2004 году, по мнению специалистов iSuppli, начнет восстанавливаться и вырастет на 25,9% (впрочем, учитывая неутешительные прогнозы для рынка DRAM на 2006 и даже на 2005 год, улучшение ситуации
CSM будет производить 1T-SRAM-Q по 0,13-мкм технологии
Сингапурский контрактный производитель чипов, компания Chartered Semiconductor Manufacturing подписала договор с MoSys о выпуске 1T-SRAM-Q с использованием норм 0,13-мкм техпроцесса. К настоящему моменту Chartered уже освоила выпуск чипов 1T-SRAM по
MoSys портирует 1T-SRAM на 90-нм технологии Chartered
Chartered Semiconductor Manufacturing и MoSys сообщили о планах выпуска 1T-SRAM-R по нормам 90-нм техпроцесса NanoAccess. В рамках расширения партнерских отношений MoSys присоединилась к альянсу Chartered, NanoAccess Alliance (члены — ARM
Новые 18 Мбит чипы No-Wait Synchronous SRAM от ISSI
Integrated Silicon Solution (ISSI) сообщает о выпуске нового чипа SRAM емкостью 18 Мбит и работающего на тактовых частотах до 250 МГц. Новый 18-Мбит чип доступен в одном из 24 различных вариантов, в том числе: 1 Мбит x 18, 512 Kбит x 36 и 256 Kбит х 72
Renesas announces 18 and 36 Mbit QDR II SRAM
Renesas Technology America, Inc., a joint venture of Hitachi, Ltd. and Mitsubishi Electric, announced a line of high-speed QDR II (Quad Data Rate-II) SRAM chips with 18 and 36 Mbit capacities for networking and comms, in particular for high-end routers an