Как сообщает источник со ссылкой на MoSys, специализирующейся на встраиваемой в системы на чипы (SoC) памяти, ее технология 1T-SRAM, впервые представленная два с половиной года назад, теперь доступна в микросхемах для бытовой электроники, выпускаемых NEC по 90-нм нормам.
Напомним, что принципиальное отличие технологии статической оперативной памяти MoSys заключается в использовании однотранзисторных, а не шеститранзисторных, как ранее, ячеек.
С того момента, как технология 1T-SRAM была впервые представлена широкой аудитории, о ее интеграции уже успели заявить несколько производителей, в числе которых, в частности, Chartered. Однако, NEC стала первой, кто объявил об интеграции в 90-нм технологические процессы, и запустил 1T-SRAM в массовое производство.