В ходе конференции ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) было освещено множество вопросов, касающихся перспектив перехода на нормы выпуска полупроводниковых микросхем менее 90 нм. Разработчики из IBM, Samsung, Texas Instruments и Virage Logic сформулировали основные проблемы, стоящие на пути к внедрению 65-нм и 45-нм технологий статической оперативной памяти в массовое производство.
На первом месте по «проблемности» стоят ошибки, вызванные флуктуациями заряда (т. н. soft errors) – так как геометрические размеры элементов постоянно снижаются, уменьшается количество электронов, необходимых для создания потенциала, соответствующего уровню логической «1», поэтому ячейки SRAM становятся все более чувствительными к воздействию ионизирующего излучения (например, к альфа-излучению, безвредному для людей, т. к. оно почти на 100% поглощается в коже). Вторая основная проблема, стоящая перед разработчиками – ток утечки, растущий вместе с уменьшением толщины слоя диэлектрика.
Тем временем, NEC утверждает, что смогла создать SRAM, характеристики которой выглядят довольно многообещающе – есть надежда, что на ее основе можно будет дойти до норм 45 нм.