Компания Integrated Silicon Solution Inc (ISSI) представила 36 Мбит компоненты синхронной Ultra Data Rate (UDR) SRAM; линейка микросхем включает в себя QUAD Synchronous SRAM, совместимые с QDR II-решениями. Тактовая частота UDR SRAM составляет 400 МГц, что, теоретически, позволяет добиться пропускной способности 3,6 Гб/с.
Память, выполненная с использованием норм 0,13-мкм техпроцесса, ориентирована на использование в сетевых приложениях. Новые компоненты – результат сотрудничества ISSI и IBM, выпускаются на заводе последней в Вермонте. По условиям соглашения линейка UDR SRAM в следующем году должна пополниться решениями плотностью 72 Мбит.
Говоря о технических характеристиках линейки UDR SRAM, стоит отметить, что напряжение питания ядра компонентов составляет 1,8 В, Vddq – 1,5 или 1,8 В, тактовые частоты IS61QDB41M36, IS61QDB21M36 (1x36), IS61QDB42Mx18, IS61QDB22M18 (2x18) – 175 до 400 МГц. Компоненты UDR SRAM выполнены в 165-контактных корпусах FBGA, в партиях 10 тыс. шт. цена компонентов составляет 100 долларов за 300 МГц версию. Начало серийного производства микросхем запланировано на 4 квартал текущего года.