Компания Samsung Electronics сообщила о завершении разработки 72 Мбит микросхем QDR II SRAM, высокопроизводительной памяти нового поколения, предназначенной для использования в сетевом оборудовании. Выпуск этих микросхем может рассматриваться как анонс компонентов SRAM самой высокой на текущий день плотности, поскольку максимальная плотность существующих компонентов QDR II SRAM составляет 36 Мбит.
Как отмечается в пресс-релизе, микросхемы способны выполнять операции с 4 потоками данных одновременно. Тактовая частота работы микросхем — 300 МГц, что на 20% выше, чем у существующих 36 Мбит компонентов. Компоненты способны за секунду обрабатывать данные, чей объем эквивалентен 9400 стандартных газетных страниц, что и позволяет позиционировать новинку как память для коммутаторов и маршрутизаторов новых поколений. Корпусировка микросхем FBGA, что позволяет экономить место при разводке печатной платы для них, до 30% по сравнению с TQFP. Серийное производство планируется на первую половину 2005 года.
В течение последних девяти лет Samsung лидирует на рынке SRAM, включая системную SRAM; в 2003 году доля компании составляла 33% этого рынка, что равно суммарной доле компаний, занимающих 2, 3 и 4 место в рейтинге производителей. Gartner Dataquest прогнозирует увеличение рынка 72 Мбит микросхем SRAM на 132% каждый год вплоть до достижения объёма в 800 миллионов долларов к 2008 году, так что у Samsung есть все основания, чтобы уверенно смотреть в будущее. Тем более, что компания начала работу над 144 Мбит компонентами QDR II и намеревается в будущем году увеличить свою долю на рынке SRAM для сетевых устройств до 50%.