Компания MoSys, наделавшая несколько лет назад немало шума со своими технологиями 1T-SRAM и 1T-SRAM-Q, сообщает об адаптации своей технологии для использования в дисплеях мобильных устройств и доступности макросов 1T-SRAM Dual-Port Display. Таким образом, компания предпринимает попытку выхода со своей технологией на массовый рынок бытовой электроники и, как сообщается в пресс-релизе, первые клиенты уже проводят тестирование.
А технология может оказаться и в самом деле востребованной, так как растущее разрешение и необходимость обеспечить большое количество отображаемых цветовых оттенков заставляет производителей дисплеев мобильных устройств интегрировать всё большее количество буферной памяти. В последнее время всё чаще – прямо на дисплей, используя технологию SoG (Silicon-on-Glass) и её подобные.
Макросы MoSys 1T-SRAM Dual-Port Display позволяют размещать буферную память как на дисплей по технологии SoG, так и на соединительных проводах (chip-on-film или tape carrier package). Более того, размещение буферной памяти (и электроники контроллера) на дисплей, обусловленное стремлением снизить уровень электромагнитных наводок и себестоимость (так как отпадает необходимость приобретения и/или монтажа дополнительных микросхем), требует учета в дизайне пространственных ограничений, что проще сделать, если использовать ячейки памяти с меньшим количеством элементов. Напомним, что 1T-SRAM, как, собственно, и следует из названия технологии, использует однотранзисторные ячейки псевдостатической памяти, в то время как в обычных ячейках статической памяти таких транзисторов бывает до шести штук.