IMEC показала 22-нанометровую память SRAM, изготовленную с применением EUV-литографии

ПредыдущаяСледующая

Специалисты исследовательского центра IMEC, как известно, отдают предпочтение литографии в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV), когда речь заходит о наиболее вероятной технологии, которая будет применяться при производстве полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 22 нм.

Указанная технология уже позволила исследователям создать, по их утверждению, первую в мире работоспособную память типа SRAM, используя 22-нанометровый техпроцесс CMOS. Ячейки памяти состоят из транзисторов FinFET. Два слоя в структуре чипа сформированы с применением экспериментальной версии оборудования для EUV-литографии производства компании ASML (первая иллюстрация).

На второй иллюстрации показан массив ячеек SRAM после завершения одного из этапов техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 0,099 кв.мкм, что вдвое меньше, чем площадь такой же ячейки, изготовленной с соблюдением норм 32 нм.

В своей работе IMEC сотрудничает с Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, Hynix, Powerchip, Infineon, NXP, Qualcomm, Sony и STMicroelectronics

Источник: IMEC

23 апреля 2009 Г.

13:31

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс