Samsung начал производить 3-нанометровые чипы

По сравнению с 5-нанометровыми чипами эти чипы обеспечивают снижение энергопотребления на 45%, они на 16% меньше и обеспечивают на 23% более высокую производительность.

Дни 5-нм чипов почти сочтены, так как сегодня Samsung объявила о начале производства 3-нм чипов.

Новые, меньшие по размеру и более эффективные чипы основаны на транзисторной архитектуре Samsung Gate-All-Around (GAA) и многоканальном полевом транзисторе. Предыдущие поколения микросхем полагались на добавление ребер сбоку (FinFET), но MBCFET переключается на транзисторы с нанолистами, которые можно укладывать вертикально.

Это дает ряд преимуществ, в том числе возможность продолжать использовать инструменты и методологию производства FinFET, не требуется дополнительная площадь для увеличения скорости из-за вертикального стекирования, а также улучшается режим включения/выключения, что позволяет Samsung снизить рабочее напряжение.

Samsung заявляет, что по сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм чипы первого поколения могут снизить энергопотребление до 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить требуемую площадь на 16%. Второе поколение 3-нм техпроцесса Samsung принесет еще больший прирост на 50%, 30% и 35% соответственно.

  Samsung не объявила, кто станет первым покупателем ее 3-нанометровых чипов, но они наверняка окажутся в собственных мобильных устройствах компании, как только это станет возможным. На данный момент главный конкурент Samsung, TSMC, по-прежнему сосредоточен на производстве 5-нм чипов, 3-нм чипы появятся только в конце этого года, а 2-нм запланированы на 2025 год. Так что у Samsung, похоже, есть преимущество как минимум на несколько месяцев.

Источник: Samsung