Galaxy S25+ с чипом Snapdragon 8 Elite показал превосходные результаты в тестах Geekbench

Samsung Galaxy S25+ вновь был замечен в списках Geekbench, демонстрируя впечатляющие результаты с чипсетом Snapdragon 8 Elite.

Смартфону удалось набрать 3160 баллов в одноядерном тесте и 9941 балл в многоядерном, что значительно превосходит показатели стандартной версии Galaxy S25, набравшей лишь 2481 и 8658 баллов в тестах. Чип Snapdragon 8 Elite, установленный в Galaxy S25+, работает на частоте 4,47 ГГц, что выше, чем в стандартной версии с частотой 4,32 ГГц. Кроме того, S25+ унаследовал 12 ГБ ОЗУ от своего предшественника Galaxy S24+.

Интересно, что Galaxy S25+ ранее был замечен на Geekbench с чипом Exynos 2500, набрав 2359 и 8141 баллов, что сопоставимо с базовым S25 на Snapdragon. Это говорит о том, что Samsung стремится оптимизировать производительность своих устройств, учитывая баланс между энергопотреблением и управлением температурой.

Несмотря на то, что Galaxy S25 и S25+, вероятно, будут оснащены собственным чипом Exynos в большинстве регионов, результаты на Snapdragon 8 Elite свидетельствуют о высоком потенциале этого чипа. Ожидается, что Exynos также сможет конкурировать со Snapdragon, показав сопоставимые результаты, однако остается вопрос, насколько это окажется возможным.

Ожидается, что серия Galaxy S25 будет представлена 22 или 23 января 2025 года.

Источник: Gizmochina