MRAM
Новое поколение MRAM: как японские ученые изобрели технологию энергоэффективной памяти
Новая технология MRAM работает без электрического тока, используя электрическое поле
Разработанные Renesas технологии записи во встроенную память STT-MRAM позволяют значительно снизить энергопотребление микроконтроллеров в приложениях IoT
Тесты подтвердили уменьшение энергии записи на 72% и времени подачи напряжения на 50%
Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм
Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партн
У Globalfoundries готова для производства первая в отрасли память eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильной промышленности
Эта встроенная энергонезависимая память подходит для хранения программ и данных
Представлена первая в мире микросхема памяти Toggle MRAM объемом 32 Мбит
Серийный выпуск таких микросхем начнется в первом квартале 2020 года
Everspin и Seagate договорились о взаимном лицензировании
Патенты, включенные в соглашение, охватывают многие годы исследований и разработок
Everspin и Phison взялись добавить в контроллеры SSD поддержку памяти MRAM
Эти контроллеры будут предназначены для корпоративных накопителей
Тайваньские ученые кардинально улучшили память MRAM
Вполне возможно, что массовое производство MRAM высокой плотности начнется уже в этом году
Everspin и SilTerra объединяют усилия в создании нового производства MRAM
MRAM — энергонезависимая магниторезистивная память с произвольным доступом
Компания Everspin освоила коммерческий выпуск 40-нанометровой памяти STT-MRAM
Производственным партнером Everspin является Globalfoundries
Компания eVaderis представила необычный микроконтроллер
Микроконтроллер с памятью STT-MRAM предназначен для IoT
Samsung покажет первые решения с новой памятью MRAM уже в следующем месяце
Память Samsung MRAM начнёт использоваться в серийных продуктах в следующем году
Накопители Everspin nvNITRO на памяти MRAM демонстрируют производительность 1 500 000 IOPS и неограниченный ресурс
Первые заказчики уже тестируют образцы nvNITRO
Globalfoundries предлагает встраивать память eMRAM в 22-нанометровые микросхемы
Память eMRAM доступна на платформе 22FDX
У Everspin готовы первые в отрасли микросхемы памяти ST-MRAM плотностью 256 Мбит; они изготовлены на мощностях Globalfoundries
Память ST-MRAM характеризуется высоким быстродействием и долговечностью
В Сингапуре создана первая гибкая память MRAM
К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания
Buffalo Memory использует в SSD память ST-MRAM производства Everspin
Память ST-MRAM не теряет информацию при пропадании питания
IMEC и Globalfoundries расширяют сотрудничество в сфере разработки памяти STT-MRAM
Память STT-MRAM предлагает улучшенную производительность и масштабируемость для встроенных и автономных приложений
Everspin оснащает микросхемы памяти MRAM плотностью 1 Мбит интерфейсом Quad SPI
Использование интерфейса Quad SPI позволяет получить высокую скорость передачи данных при малом количестве выводов
Рынок энергонезависимой памяти с произвольным доступом находится на пороге взрывного роста, полагают эксперты Forward Insights
Перспективы памяти типа MRAM изучены в отчете, подготовленном специалистами Forward Insights
Everspin выпускает первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения
Ознакомительные образцы микросхем Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM уже поступают заказчикам
Buffalo использует в твердотельных накопителях магниторезистивную память
В серию новых SSD Buffalo войдут модели с интерфейсами SATA и IDE
Crocus и StarChip хотят использовать в однокристальных системах технологию Magnetic-Logic-Unit
Партнеры рассчитывают интегрировать память и логические функции MLU в архитектуру криптографических процессоров
Toshiba и Hynix будут вместе разрабатывать память типа MRAM
Партнеры рассчитывают создать совместное производство по выпуску памяти типа MRAM
Специалисты Crocus создали технологию Magnetic Logic Unit (MLU)
Разработка позволяет объединить логическую функцию и память в одном чипе MRAM
Перпендикулярная MRAM кое в чем сможет поспорить с флэш-памятью
В магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM) для хранения информации используется намагниченность материала. Несмотря на множество достоинств, по плотности хранения эта память пока не может конкурировать с флэш-памятью, в которой для хранения информа
Freescale передает разработку и производство MRAM дочернему предприятию
Память типа MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), как известно, является одним из основных претендентов на роль универсальной памяти будущего, способной заменить, как динамическую память с произвольным доступом, так и флэш-память. Этому способству
MRAM готовится сместить DRAM с пьедестала
По сведениям источника, магниторезистивная память (MRAM) готова совершить рывок и перейти от специализированных применений к массовому использованию в ПК. Если это окажется правдой, DRAM очень быстро может уйти в историю — так велики преимущества нового т
Micromem Technologies сообщает о готовности MRAM с серийному производству
Специализирующаяся на разработке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) компания Micromem Technologies сообщает об успешном выпуске этой продукции в условиях серийного производства. Фактически, это итог интенсивной трехлетней научно-иссл