Компания Everspin Technologies сообщила о том, что в твердотельных накопителях, представленных Buffalo Memory, используется память типа Spin-Torque MRAM (ST-MRAM) производства Everspin.
Информация о том, что Everspin выпускает первые микросхемы памяти ST-MRAM для высокопроизводительных систем хранения, появилась год назад. Указанная память характеризуется высоким быстродействием и долговечностью. К ее достоинствам относится высокая энергетическая эффективность и способность хранить информацию в отсутствие питания. Приступая к выпуску памяти ST-MRAM, производитель предположил, что на первом этапе она дополнит флэш-память в твердотельных накопителях.
Именно так обстоит дело в случае SSD Buffalo Memory с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Как утверждается, эти накопители стали первыми твердотельными накопителями, в которых в роли кэш-памяти выступает ST-MRAM. В отличие от обычно используемой в этом качестве памяти типа DRAM, память ST-MRAM не теряет информацию при пропадании питания, характеризуется меньшим временем доступа, меньшим энергопотреблением и не требует регенерации.
Микросхемы Everspin EMD3D064M ST-MRAM плотностью 64 Мбит выполнены в стандартных корпусах WBGA и функционально совместимы с интерфейсом JEDEC DDR3, что должно упростить их внедрение.
Источник: Everspin