Компания Samsung в ближайшее время намеревается вывести на рынок новую энергонезависимую память MRAM. Над этой памятью корейский гигант работал совместно с IBM.
По заявлению компаний, MRAM в 100 000 раз быстрее памяти NAND и при этом не имеет ограничения по количеству перезаписей. MRAM — это магниторезистивная оперативная память, которая, несмотря на название, может использоваться вместо памяти NAND.
Подробнее о новой памяти должны рассказать во время мероприятия Samsung Foundry Forum Event, которое пройдёт 24 мая. Там же могут представить первые продукты, использующие MRAM. К примеру, источник говорит о том, что одно из подразделений Samsung уже располагает прототипом некой однокристальной системы с интегрированной памятью MRAM.
Что касается коммерциализации технологии, первым клиентом Samsung стала компания NXP. Однокристальные системы семейства i.MX, предназначенные для устройств сегмента интернета вещей, а также некоторые микроконтроллеры NXP уже со следующего поколения получат интегрированную память MRAM.