Память типа MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), как известно, является одним из основных претендентов на роль универсальной памяти будущего, способной заменить, как динамическую память с произвольным доступом, так и флэш-память. Этому способствуют выдающиеся характеристики быстродействия и энергетической эффективности, а также способность хранить информацию в отсутствие питания.
Одной из компаний, добившихся наиболее весомого успеха в разработке MRAM, является Freescale Semiconductor, которая еще в 2006 году объявила о выпуске микросхемы MR2A16A — первого быстродействующего чипа памяти MRAM плотностью 4 Мбит.
Объединив усилия с несколькими венчурными инвесторами (New Venture Partners, Sigma Partners, Lux Capital, Draper Fisher Jurvetson и Epic Ventures), компания Freescale Semiconductor образовала независимое дочернее предприятие, которое займется дальнейшими исследованиями и выпуском памяти MRAM. Новообразованная компания получила название EverSpin Technologies. От Freescale ей перейдут все наработки по теме MRAM, связанная с ними интеллектуальная собственность и готовые продукты. Кроме того, по условиям учредительного договора, EverSpin Technologies получит в свое распоряжение производственные мощности. За собой Freescale оставила лишь разработку встраиваемых решений на базе MRAM.
Источник: Freescale Semiconductor