Micron готовит революцию в сфере чипов энергонезависимой памяти

В узком кругу участников конференции IEDM 2023 от представителей компании Micron стало известно об успешной разработке нового типа памяти FeRAM.

Скорость работы таких ячеек памяти превосходит скорость работы ячеек памяти NAND и практически равна скорости DRAM, но несмотря на то, что FeRAM была разработана более двадцати лет назад она смогла найти свое место только в промышленном оборудовании, системах навигации, приборах и т. д.

FeRAM память является энергонезависимым типом памяти и, казалось бы, перспективы ее безграничны, ведь она может хранить информацию без внешнего питания. Более того, такая память не боится радиации и воздействия магнитным полем, она более износостойкая, менее подвержена колебанию температур. Однако завоевать массовый сектор ей было не суждено ввиду малого объема хранимой информации — до 128 Мбит.

И вот сейчас Micron удалось поднять эту планку до совершенно невообразимых 32 Гбит!

В более привычном для многих виде — это 4 ГБ. И пусть пока, анонс технологического достижения был неофициальным, это не делает его менее значимым. Создание ячеек энергонезависимой памяти с таким объемом хранимой информации открывает для нее двери в область хранения данных и массовый потребительский сектор электроники.

Пока еще опытные образцы чипа уже способны на 1015 циклов перезаписи информации со скоростью цикла от 70 до 120 наносекунд, что на голову выше скорости записи NAND с ее 300-ми микросекунд на цикл. Срок же хранения данных составляет порядка десяти лет.

Основу ячейки памяти FeRAM составляют пары управляющих транзисторов и пьезокерамических конденсаторов. Именно последние прежде определяли физические размеры ячейки. Похоже, Micron удалось добиться уменьшения их размеров.

Чтобы новые ячейки памяти не путали с обычными FeRAM, компания дала новым ячейкам новое название NVDRAM.

Источник: 3DNews