Changxin завершает разработку памяти LPDDR6 для мобильных устройств

Changxin Memory из Китая завершает тестирование памяти LPDDR6 и планирует начать массовое производство во втором полугодии 2026 года. Новый стандарт увеличит скорость работы смартфонов и снизит расход батареи по сравнению с текущими решениями.

Спецификации первой версии LPDDR6 включают пиковую пропускную способность 12 800 Мбит/с на контакт. При работе с мобильным процессором память функционирует на частоте 10 667 Мбит/с. Один чип вмещает 16 Гб, что позволяет собирать модули от 4 до 16 ГБ. Changxin применяет технологию корпусирования Ball POP с 1295 контактами.

Для пользователя ключевое преимущество LPDDR6 — сниженное энергопотребление относительно LPDDR5X. Это напрямую влияет на автономность устройства при той же емкости батареи. Второе улучшение касается RAS-функций (надежность, доступность, обслуживаемость). Система памяти получает механизмы обнаружения и исправления ошибок, что снижает риск сбоев и зависаний приложений.

Перед запуском в серию мобильная память проходит многоступенчатую валидацию. На этапе R&D (исследования и разработка) проверяется совместимость с процессорами разных производителей. Инженеры тестируют стабильность при пиковых нагрузках и высоких температурах. Измеряется реальное энергопотребление в типичных сценариях использования смартфона. Параллельно оценивается устойчивость к вибрациям и ударам.

После R&D-валидации производитель запускает небольшую пилотную партию. Эти чипы устанавливают в прототипы смартфонов для финальной проверки. Только при успешных результатах начинается полноценное массовое производство.

В марте 2025 года Changxin передала первые образцы LPDDR6 производителям мобильных чипсетов и смартфонов. Ранее компания выпускала память предыдущих поколений для среднего сегмента. Запуск LPDDR6 — попытка выйти на рынок флагманских устройств, где доминируют южнокорейские Samsung и SK Hynix, а также американская Micron.

Источник: CNMO