Для работы проектов iXBT.com нужны файлы cookie и сервисы аналитики.
Продолжая посещать сайты проектов вы соглашаетесь с нашей
Политикой в отношении файлов cookie
Если есть возможность интегрировать кэш в кристалл, то нет смысла выделять его в отдельный 4й (L4) уровень. В этом случае просто увеличивают объем L3.
L4 имеет смысл только если для него используется другая технология — например eDRAM или HBM память в отдельном кристалле (но под одной крышкой с процессорным кристаллом).
Разработка (полностью).
Примерно насколько процессоры и видеокарты AMD (разрабатываемые AMD, но производимые на Тайване у TSMC) американские, настолько Эльбрусы российские.
На Китайских хотя бы тот же SPEC прогоняли. Результаты так себе, на уровне самых первых Core или «бульдозеров»(если у них их «полуядра» считать за целые, т.е. считать что FX-4xxx это 4 ядерный процессор). Но по крайней мере можно сравнить в одинаковых условиях и понять что они из себя реально представляют и для чего сгодятся, а для чего нет.
Репутация у них конечно есть — но она отрицательная. Все что они обещали последние 2 десятка лет в результаты либо вообще не увидело свет, либо в результате выходило на несколько лет позже чем обещали и намного хуже чем они обещали.
Продажу б/у оборудования я «выкидыванием» не считаю, но у Микрона большая часть оборудования — это старые линии списанные STMicroelectronics когда они переходили на более современное и нашли покупателя на старое в лице Микрона.
Даже если финансовые кварталы, а не календарные считать, то 2й фин. квартал еще именно ИДЕТ — первый его месяц заканчивается.
Поэтому отчитаться по его РЕЗУЛЬТАТАМ они никак не могли. Просто потому он еще не закончился + какое-то время уходит на сбор данных и анализ. Результаты за 2й фин квартал только еще через 2-3 месяца будут.
По факту они отчитались за 4й квартал 2019 года. Или 1й финансовый квартал 2020 года если по стандартам фин. отчетности США.
С какого перепуга кто-то называет это 2м кварталом 2020 года неизвестно. Видимо у Микрософта свой собственный персональный календарь и год у них начинается летом с 1го илюля.
На 14нм тоже такой договор есть или по крайней мере был. Просто сама GloFo по слухам уже на 14нм линиях сворачивает производство, оставляя в работе только 12нм. Вот и пошли «подделки» когда покупателям 12нм камни вручают вместо 14нм.
Для военных что-то «Микрон» делает. А выше про «Ангстрем-Т», который в прошлом году обанкротился: //www.ixbt.com/news/2019/10/31/rossijskij-proizvoditel-mikroshem-angstremt-obankrotilsja.html
ARM из мобилок конечно побить легко, только они совсем из другой категории — на порядок меньше энергии потребляет и на 2 порядка дешевле стоят.
А серверные ARM уже вплоть до 4000 Гфлос DP модели есть, если уж надумал флопсами мериться.
Да, зависит от высоты барьера конечно. Точнее зависит от соотношения энергии и массы частиц с «высотой»(высота = необходимое количество энергии для преодоления его классическим образом) этого самого барьера. Когда энергия частиц очень близка к высоте барьера — вероятность туннелирования высокая. Чем меньше энергия, тем ниже вероятность, причем зависимость тут экспоненциальная.
И вот в этом как раз принципиальное отличие от классической физики. Если речь про классическую утечку электрического заряда сквозь изолятор, то снижение приложенного напряжения в 2 раза замедляет скорость утечки всего примерно в те же 2 раза. В случае же квантовых эффектов снижение напряжения и сообщаемой им частицам энергии в 2 раза ниже высоты барьера снижает вероятность туннелирования частиц через этот барьер на много-много порядков.
Несколько таких технологий про которые когда то много лет назад читали уже добрались до серийного производства, хотя и не смогут вытеснить DRAM или NAND из-за низких объемов или высокой цены — например память на изменении фазового состояния (Phase-change memory — PCM) уже существует и продается на рынке в виде Optane on Intel и ее аналога от Micron.
Или магниторезистивная память (STT-MRAM spin-transfer torque MRAM) тоже уже до серийного производства добралась и применяется там где не нужен большой объем, но зато к памяти предъявляются другие очень высокие требования — последние поколение уже превосходит NAND в разы по сроку хранения записанных данных и на порядки по ресурсу(циклам) перезаписи. И при этом она даже быстрее DRAM (про NAND и говорить нечего — разница на много порядков), не считая того, что она энергонезависимая: https://3dnews.ru/983125
А про эту конкретный вариант врядли когда-то могли читать. Это новый вариант. Который если повезет доберется до производства только через много лет, так же как от «изобретения» PCM и MRAM и первых работающих образцов отдельных ячеек в лабораториях до первых промышленно произведенных партий прошло больше десятка лет.
Вообще соответвующий софт уже есть прямо сейчас и по мере надобности создается новый. Его немного и естественно для специализрованных задач (обычно требующих огромных объемов памяти, но не особо сильно чувствительных к ее скорости). Если просто взять произвольный софт он конечно ячейки быстро убъет.
Сейчас такой софт обычно под Optane пишется который уже какое-то время выпускается не только в виде дисков, но модулей основной памяти: http://www.team.ru/lab/intel_optane_dc_persistent_memory.shtml
Если хотя бы миллиарды перезаписей будут (вместо нескольких миллионов у Optane) уже отлично — задач для которых подходит такая память и можно адаптировать софт станет намного больше.
Что до счетчиков цикла и других подобных очень часто перезаписываемых переменных — во всех современных архитектурах все эти миллионы перезаписей в секунду будут происходить в кэше процессора, а не в основной памяти. В который данные из памяти попадают обычно уже после 1го обращения к ним, а «отправляются назад» только когда становятся уже не нужны — если «долго» (долго по меркам скоростей процессора) к ним нет обращений, то будут вытеснены новыми более нужными данными.
Насчет плавающего затвора в оригинале написано, что якобы сохранность данных ожидается наоборот намного лучше чем у Флеша — потенциально вообще «обновлять» ее не нужно будет:.
The memory cell, much like flash, uses a floating gate to store the memory state but, instead of using oxide isolation, the InAs floating gate is isolated by the anomalously-large conduction-band discontinuity with AlSb – that offers an extraordinarily long theoretical storage time – greater than the age of the universe, is one estimate.
However, much as the isolation is near-perfect, only just over 2V is needed to breach it for programming, due to the dual quantum well resonant tunnelling junction (made from alternating layers of AlSb and InAs) between the floating gate and the control gate.
Барьер ниже, но и напряжение на плавающем затворе приводящее к постепенной утечки заряда намного ниже. К тому же тут уже не классическая физика работает, а квантовые эффекты — для этого тут «бутерброд» их сверхтонких пленок всего в 1-2нм толщиной и используется, слои буквально по несколько молекул толщиной.
Как понял классической утечки заряда (через изолятор как через резистор только с очень большим сопротивлением) тут вообще не будет, т.к. напряжение при хранении заряда ниже «запрещенной зоны» используемого полупроводника. Утечка возможна тоже только за счет квантовых эффектов — туннелирования электронов сквозь барьер.
Транзисторов то у них как раз примерно одинаковое количество. Что там что там основной массив ячеек непосредственно хранящих данные используется по 1 транзистору на ячейку. Плюс какое-то количество транзисторов в управляющихся схемах.
Намного большая плотность/емкость NAND достигается не за счет того, что в ней нужно меньше транзисторов, а за счет возможности хранения нескольких бит в 1 физической ячейке (2/3/4 — MLC/ TLC/QLC), тогда как у DRAM всегда только 1 бит на ячейку. И за счет того что NAND не так давно научились делать многослойной, собирая из таких ячеек вертикальную «этажерку», а с DRAM так не получается.
Вообще как раз скорость — у DRAM она в десятки раз выше по скорости передачи данных, в сотни раз по времени доступа(задержке) при чтении и в тысячи раз по времени проведения операций записи.
А самый большой минус — нужно постоянно перезаписывать хранимые данные данные, по многу раз каждую секунду, иначе все данные потеряются. В отличии от NAND где достаточно это делать раз в несколько месяцев.
Ну а уж изнашиваемость это уже побочный фактор и далеко не всегда важный.
L4 имеет смысл только если для него используется другая технология — например eDRAM или HBM память в отдельном кристалле (но под одной крышкой с процессорным кристаллом).
Примерно насколько процессоры и видеокарты AMD (разрабатываемые AMD, но производимые на Тайване у TSMC) американские, настолько Эльбрусы российские.
С тех пор правда анонсы стали пожиже (но зато и ближе к реальности), но все-равно завышенные.
А тут еще в 2.5 раза дороже с какого-то перепуга решили заломить. Видимо клиенты им больше не нужны и решили от них таким образом избавиться (только работать мешают © ).
Вообще стоимость зарядки на «заправках» и должна стоить дороже чем электричество в сети, т.к. включает в себя не только стоимость самого электричества, но еще и стоимость оборудованной стоянки для автомобилей и оператору должна хоть какая-минимальная прибыль оставаться сверх себестоимости. Но не намного.
Поэтому отчитаться по его РЕЗУЛЬТАТАМ они никак не могли. Просто потому он еще не закончился + какое-то время уходит на сбор данных и анализ. Результаты за 2й фин квартал только еще через 2-3 месяца будут.
По факту они отчитались за 4й квартал 2019 года. Или 1й финансовый квартал 2020 года если по стандартам фин. отчетности США.
С какого перепуга кто-то называет это 2м кварталом 2020 года неизвестно. Видимо у Микрософта свой собственный персональный календарь и год у них начинается летом с 1го илюля.
А серверные ARM уже вплоть до 4000 Гфлос DP модели есть, если уж надумал флопсами мериться.
Или как продавать одно и то же много лет подряд под десятью разными названиями.
И вот в этом как раз принципиальное отличие от классической физики. Если речь про классическую утечку электрического заряда сквозь изолятор, то снижение приложенного напряжения в 2 раза замедляет скорость утечки всего примерно в те же 2 раза. В случае же квантовых эффектов снижение напряжения и сообщаемой им частицам энергии в 2 раза ниже высоты барьера снижает вероятность туннелирования частиц через этот барьер на много-много порядков.
Или магниторезистивная память (STT-MRAM spin-transfer torque MRAM) тоже уже до серийного производства добралась и применяется там где не нужен большой объем, но зато к памяти предъявляются другие очень высокие требования — последние поколение уже превосходит NAND в разы по сроку хранения записанных данных и на порядки по ресурсу(циклам) перезаписи. И при этом она даже быстрее DRAM (про NAND и говорить нечего — разница на много порядков), не считая того, что она энергонезависимая: https://3dnews.ru/983125
А про эту конкретный вариант врядли когда-то могли читать. Это новый вариант. Который если повезет доберется до производства только через много лет, так же как от «изобретения» PCM и MRAM и первых работающих образцов отдельных ячеек в лабораториях до первых промышленно произведенных партий прошло больше десятка лет.
Сейчас такой софт обычно под Optane пишется который уже какое-то время выпускается не только в виде дисков, но модулей основной памяти: http://www.team.ru/lab/intel_optane_dc_persistent_memory.shtml
Если хотя бы миллиарды перезаписей будут (вместо нескольких миллионов у Optane) уже отлично — задач для которых подходит такая память и можно адаптировать софт станет намного больше.
Что до счетчиков цикла и других подобных очень часто перезаписываемых переменных — во всех современных архитектурах все эти миллионы перезаписей в секунду будут происходить в кэше процессора, а не в основной памяти. В который данные из памяти попадают обычно уже после 1го обращения к ним, а «отправляются назад» только когда становятся уже не нужны — если «долго» (долго по меркам скоростей процессора) к ним нет обращений, то будут вытеснены новыми более нужными данными.
Насчет плавающего затвора в оригинале написано, что якобы сохранность данных ожидается наоборот намного лучше чем у Флеша — потенциально вообще «обновлять» ее не нужно будет:.
The memory cell, much like flash, uses a floating gate to store the memory state but, instead of using oxide isolation, the InAs floating gate is isolated by the anomalously-large conduction-band discontinuity with AlSb – that offers an extraordinarily long theoretical storage time – greater than the age of the universe, is one estimate.
However, much as the isolation is near-perfect, only just over 2V is needed to breach it for programming, due to the dual quantum well resonant tunnelling junction (made from alternating layers of AlSb and InAs) between the floating gate and the control gate.
Барьер ниже, но и напряжение на плавающем затворе приводящее к постепенной утечки заряда намного ниже. К тому же тут уже не классическая физика работает, а квантовые эффекты — для этого тут «бутерброд» их сверхтонких пленок всего в 1-2нм толщиной и используется, слои буквально по несколько молекул толщиной.
Как понял классической утечки заряда (через изолятор как через резистор только с очень большим сопротивлением) тут вообще не будет, т.к. напряжение при хранении заряда ниже «запрещенной зоны» используемого полупроводника. Утечка возможна тоже только за счет квантовых эффектов — туннелирования электронов сквозь барьер.
Намного большая плотность/емкость NAND достигается не за счет того, что в ней нужно меньше транзисторов, а за счет возможности хранения нескольких бит в 1 физической ячейке (2/3/4 — MLC/ TLC/QLC), тогда как у DRAM всегда только 1 бит на ячейку. И за счет того что NAND не так давно научились делать многослойной, собирая из таких ячеек вертикальную «этажерку», а с DRAM так не получается.
А самый большой минус — нужно постоянно перезаписывать хранимые данные данные, по многу раз каждую секунду, иначе все данные потеряются. В отличии от NAND где достаточно это делать раз в несколько месяцев.
Ну а уж изнашиваемость это уже побочный фактор и далеко не всегда важный.