SRAM
SRAM: все хуже и хуже
2001 год явно не был годом производителей памяти. Это в равной мере касается как DRAM, так и скоростной статической SRAM. По данным iSupply, в 2001 году прибыли от продажи SRAM упали на 41% до отметки в $3,8 млрд. К сожалению, этот год только уменьшит спа
Встраиваемая 1T-SRAM-R память от MoSys
MoSys вчера анонсировала свою новую технологию производства встраиваемой памяти, основанной на 1T-SRAM.1T-SRAM-R - вот название новой технологии, которая по словам представителей компании, должна заменить обычную встраиваемую статическую память. Интерфейс
Новая экономичная SRAM от Toshiba
Toshiba объявила о выпуске новых 8 Мбит чипов статической памяти (SRAM) с низким потреблением энергии, специально разработанной для использования в мобильных телефонах. Чипы производятся с использованием 0,15 мкм техпроцесса.Новые чипы - TC55VBM316ATGN40,
Новая SRAM память от Samsung
Samsung объявила о доступности сразу трех перспективных видов SRAM: QDR II, DDR II и NtRAM (No Turnaround Random Access Memory). Все эти типы SRAM будут выпускаться емкостью 36 Мбит, с использованием 0,15 мкм технологии, пока что чипы доступны лишь в обра
Обнародованы спецификации QDRII и DDRII SRAM
Еще в середине лета мы сообщали, что команда разработчиков QDR-памяти, в которую входят Cypress, Hitachi, IDT, Micron, NEC и Samsung, работают над созданием дополнительных видов архитектур памяти стандарта QDR (quad data rate) - QDRII и Double Data Rate (
72 Мбит SRAM от Cypress и Ramtron
Сегодня Cypress Semiconductor и Ramtron International анонсировали совместную разработку - SRAM модули с наибольшей на данный момент из известных плотностью 72 Мбит. Новая память ориентирована на применение в устройствах для высокоскоростных сетей и систе
SRAM´о´Flash
AMD сегодня представила свое решение для мобильных телефонов и других ультрапортативных устройств. Эти MCP (multi-chip package) микросхемы представляют собой спаренные 16, 32 или 64 Мбит чипы флэш-памяти с 2, 4 или 8 Мбит статической SRAM. Кроме того, по
Pseudo SRAM: новое семейство памяти от Toshiba
TAEC - (Toshiba America Electronic Components) объявила о том, что открывает линейку весьма интересной памяти - Pseudo Static Random Access Memories (PSRAM), псевдостатического ОЗУ. Новая память обладает временем доступа в пределах 80 - 85 нс и доступна в
Samsung: SRAM с 0,08 мкм нормами – к 2003
Сегодня мы уже сообщали о начале выпуска памяти SRAM с соблюдением норм 0,13 мкм техпроцесса корейской Samsung Electronics. Как заявляют представители компании, запуск нового техпроцесса произошел на три месяца раньше запланированных сроков. Помимо этого,
Samsung начала производство 0,13 мкм SRAM
Сегодня Samsung Electronics сообщила о начале массового производства SRAM памяти с использованием норм 0,13 мкм техпроцесса. Новые 8 Мб SRAM модули K6F8016U6B, благодаря низкой потребляемой мощности, по словам представителей компании, найдут широкое пр
QDRII и DDRII: пополнение в семействе SRAM архитектур
Технология QDR (Quad Data Rate) жива-здорова: Cypress Semiconductor Corp., IDT, Inc., Micron Technology, Inc., NEC Corporation и недавно присоединившаяся к ним Samsung Electronics Co., Ltd. вчера раскрыли планы по разработке дополнительных видов архитекту