Toshiba объявила о выпуске новых 8 Мбит чипов статической памяти (SRAM) с низким потреблением энергии, специально разработанной для использования в мобильных телефонах. Чипы производятся с использованием 0,15 мкм техпроцесса.
Новые чипы - TC55VBM316ATGN40, -N55 и -N70, имеют время доступа, соответственно 40, 55 и 70 нс. Напряжение питания новой памяти - 2,3 В и 3,6 В, но, по заявлению компании, чип совместим со стандартными напряжениями питания - 2,5 и 3,3 В. За 8 Мбит модулем последует выпуск 4- и 16-мегабитных чипов.
Будут доступны два типа упаковки: более дешевый TSOP type-1 (12 х 20 мм и 12 х 14 мм), а также FBGA (7 х 7 мм). Чтобы не отставать от времени, в выводах TSOP не используется свинец. Кроме того, Toshiba намерена поставлять готовые кремниевые пластины для производителей многочиповых упаковок MCP.
В настоящее время производство 8 Мбит чипов уже началось. Образцы будут доступны в феврале по цене 1800 иен ($13,5), массовый выпуск начнется в конце первого квартала - начале следующего.