Сегодня Cypress Semiconductor и Ramtron International анонсировали совместную разработку - SRAM модули с наибольшей на данный момент из известных плотностью 72 Мбит. Новая память ориентирована на применение в устройствах для высокоскоростных сетей и системах коммуникации.
По словам представителей Cypress, модули SRAM с плотностью упаковки 72 Мбит созданы на основе однотранзисторной технологии Enhanced SRAM (ESRAM), разработанной Enhanced Memory Systems, дочерней компанией Ramtron.
Новые модули станут частью серии пакетной SRAM «без задержек шины» (No Bus Latency, NoBL), продаваемой Cypress, хотя, новыми чипами будет торговать и Enhanced Memory Systems. Первые образцы 72 мегабитной NoBL SRAM ожидаются в январе, а массовое производство планируется начать во втором квартале 2002 г.
По утверждению компаний-разработчиков, модули 72 Мбит NoBL SRAM подходят для быстрых коммутаторов и маршрутизаторов, работающих с OC-48 со скоростями передачи данных 2,5 Гбит/с и выше. Однотранзисторный модуль ESRAM обеспечивает те же скорости, что и традиционный шеститранзисторный модуль SRAM, однако, при этом имеет вчетверо большую плотность записи и вчетверо меньшее энергопотребление. Чипы NoBL SRAM организованы как 36 х 2 Мбит и работают на частоте 166 МГц. 72-мегабитная память предоставляет все 100% пропускной способности шины при транзакциях чтение-запись-чтение над объектами размером в четыре слова. Напряжение питания составит 2,5 или 3,3 В, варианты выводов - 100-контактный TQFP или 119-контактный PBGA. Следует отметить, у широко распространенных модулей 18 Мбит SRAM энергопотребление такое же, то есть схожая конфигурация 6Т будет потреблять вчетверо меньшее количество энергии.
Источник: EB News