Samsung начала производство 0,13 мкм SRAM

Сегодня Samsung Electronics сообщила о начале массового производства SRAM памяти с использованием норм 0,13 мкм техпроцесса. Новые 8 Мб SRAM модули K6F8016U6B, благодаря низкой потребляемой мощности, по словам представителей компании, найдут широкое применение в следующих поколениях сотовых телефонов. Массовое появление на рынке новых чипов обещано к четвертому кварталу 2001 года.

Модули K6F8016U6B имеют напряжение питания 1,8 В при потребляемом токе менее 1 мА, время доступа к данным составляет 55 нс. Помимо этого, использование нового 0,13 мкм техпроцесса позволило сделать новые чипы на 30% миниатюрнее, чем производившиеся по 0,15 мкм.

В ближайших планах Samsung Electronics – начало выпуска 16 Мб чипов SRAM с использованием 0,13 мкм техпроцесса, что, предположительно, произойдет в четвертом квартале текущего года.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс