Теперь возможно создавать модули DDR5 объёмом 96 ГБ. Hynix представила микросхемы рекордной плотности

24 Гбит

Компания SK Hynix первой на рынке представила микросхемы памяти DDR5 плотностью 24 Гбит. Новые микросхемы будут производиться по техпроцессу 1anm, который представляет собой четвёртое поколение 10-нанометрового техпроцесса и подразумевает использование EUV-литографии. 

Hynix говорит о улучшенной производственной эффективности, на 33% большей скорости и на 25% меньшем энергопотреблении. Самое важное — новые микросхемы позволяют создавать модули памяти объёмом 48 и 96 ГБ. Именно такие решения первыми получат новые микросхемы, но, само собой, это продукция для ЦОД, а не для потребительского сегмента. Кроме того, подобные модули будут ориентированы на высокопроизводительные серверы для обработки больших данных, работы с ИИ и так далее.