Специалисты SK hynix разработали память DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 1Z нм

Серийный выпуск должен начаться в будущем году

Компания SK hynix сообщила о разработке памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит, рассчитанной на выпуск по нормам 1Z нм. По словам производителя, это наибольшая плотность одного кристалла DDR4, а с учетом норм достигнут еще и рекордный объем в расчете на одну пластину.

Как утверждается, новое поколение норм 10-нанометрового класса позволяет увеличить выход памяти с каждой пластины примерно на 27% по сравнению с предыдущим поколением 1Y нм. При этом не используется EUV-литография, что положительно сказывается на затратах.

Новая память поддерживает скорости до DDR4-3200. Что касается энергетической эффективности, модуль на новых микросхемах потребляет примерно на 40% меньше энергии по сравнению с модулем того же объема, в котором используется память предыдущего поколения плотностью 8 Гбит.

Серийный выпуск кристаллов памяти DRAM DDR4 плотностью 16 Гбит по нормам 1Z нм должен начаться в будущем году. Компания также планирует использовать новую технологию для выпуска памяти LPDDR5 и HBM3.