Для работы проектов iXBT.com нужны файлы cookie и сервисы аналитики.
Продолжая посещать сайты проектов вы соглашаетесь с нашей
Политикой в отношении файлов cookie
Дед намеренно крутит км каждый день, эт хобби у него такое. Есть видосы про него еще при пробеге 1200000 вроде. Ему просто делать нечего и он км наматывает и за одно путешествует.
Сделай бы, урыли бы! Но не сделали. А вообще вопрос не в дизайне и не в определенном государстве. Любой народ поддержит, любую дичь построенную в своей стране. Просто у американцев есть деньги платить за подобную дичь под потриатическим соусом, у россиян этих денег нет. Вот по этому и не делают.
К сожалению лагает, может не так часто как самсы и китайфоны но лагает обсолютно все девайсы.
К примеру ночью на небольшом морозе с подключенными эйрподс снимал северное сияние и была установлена заставка использующая GPS. Ну и 4G у меня не отключается 24/7. Вообщем он во время обработки фото тупо перезапускался. Это 14 про.
13про не хотел брать заряд после плотного дня сьемок на Сицилии. Но повторюсь Самсы лагали куда чаще, не говоря о Сяоми у которого просто через час на небольшой жаре начинал вылетать Андроид Авто.
На 1,0 tsi opf 81kw тоже ездил( да почти на всем доступном каршеринге перекатал).Разница есть но не велика. Стартует чуть послабее, но на скорости действительно более ровно себя ведет. Но не более того. Может с 2 литровыми 4 цилиндровыми 15 летними он и на равне. Но до 6 цилиндрового да же 30 летнего ему, ну очень далеко. Не знаю почему но визг мотора я слышу больше чем хотелось бы.
Плавность хода, это совокупность различных систем и узлов. Коробки, двигателя, подвески, развесовки, работы таких простых систем как BAS, ASR и так далее.
Мне после 50 км в этом автомобиле просто хочется выйти.
T-roc и T-cross сравнивал в базе + полный пакет ассистентов + камеры и парктроники( стандарт для каршеринга). Салоны там и там бедный.
Но моё мнение весьма субъективно как и ваше. Тут скорее с чего пересел в этот T-cross.
Но современные 4 цилиндра с турбиной и потише и едут намного бодрее. И расход такой же.
А мне вот именно T-cross не зашел от слова совсем. Да стартует бодренько до 50-60 км/ч ( но та же Fiesta бодрее).И реакция на педаль моментальная, но у всех машин со стартер -генератором так же. Ну ок у всех кроме Тойоты XD.Потом едет на свои 100 с хвостиком сил. На трассе обгоны в натяжку(как для меня) мотор орет а динамики маловато. Плавность хода отсутствует напрочь. От долгой езды начинает болеть голова. Помощники да есть, но они есть у всех. Фактически это клон Kamiq ну или наоборот. Уж лучше немножечко добавить и взять T-roc. Там и плавность хода есть, хоть какая то. И он хотя бы как то едет.
Как по какому? Выдергивают на улице человека и задают два вопроса.
1. Какой у вас телефон?
2. Довольны ли вы им?
Делают отметки и идут дальше.
И судя по рейтингу, опрос проводили на улицах Китая.
« Какими смартфонами Android больше всего довольны пользователи »
Это тот случай когда рейтинг ничего не говорит о качествах смартфон, зато многое говорит а качествах людей.
Я не ради спора или поговорить. У меня вполне матерьяльный интерес. Да и патенты тоже разные есть. Вроде как есть именно торговые а есть по типу технологий и там опять же вроде, двух одинаковых быть не может.
Да, есть такой момент. Оптика создавалась и производилась в РФ. Но..! За деньги голландцев и по американским патентам.
В принципе если перестать ее поставлять, то это может на пару лет остановить деятельность ASML. Пока не разработают и не наладят производство в другом месте. И да это нужно делать уже сейчас. Год назад в ЕС приняли многомиллиардный проект по выпуску собственных полупроводниковых чипов с полной локализацией. Вот, не знаю на каком там все этапе, но возможно года через 2-3 смысла в прекращении поставок уже не будет.
В обсалютном значении возможно, но не в процентном. Открываем mobile. de и видим 60% АКПП. И чем северней тем больше эта цифра. Самое большое количество механики в Италии Франции и Испании. Около половины автомобилей. В РФ к примеру только 30% АКПП.
Но так как рынок авто в ЕС самый большой в мире то и количество авто с механикой там самое большое.
Часть 2
M.Dawson, «X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения). Патент США №3,961,197, 1 июня 1976 г.
T.G.Roberts, et al., «Intense, Energetic Electron Beam Assisted X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения, создаваемого интенсивным высокоэнергетичным электронным пучком). Патент США №3,969,628, 13 июля 1976 г.
J.H.Lee, «Hypocycloidal Pinch Device» (Устройство для создания гипоциклоидального пинча), Патент США №4,042,848, 16 августа 1977 г.
L.Cartz, et al., «Laser Beam Plasma Pinch X-Ray System» (Система для получения рентгеновского излучения плазменного пинча, создаваемого лазерным пучком). Патент США №4,504,964, 12 марта 1985 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-Ray Apparatus» (Устройство для получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,536,884, 20 августа 1985 г.
S.Iwamatsu, «X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения). Патент США №4,538,291, 27 августа 1985 г.
G.Herziger, W.Neff, «Apparatus for Generating a Source of Plasma with High Radiation Intensity in the X-ray Region» (Устройство для создания источника плазмы с интенсивным излучением в рентгеновской области спектра). Патент США №4,596,030, 17 июня 1986 г.
A.Weiss, et al., «X-Ray Lithography System» (Литографическая система с облучением рентгеновским излучением). Патент США №4,618,971, 21 октября 1986 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-ray Method» (Способ получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,633,492, 30 декабря 1986 г.
I.Okada, Y. Saitoh, «X-Ray Source and X-Ray Lithography Method» (Рентгеновский источник и способ литографии с рентгеновским облучением). Патент США №4,635,282, 6 июня 1987 г.
R.P.Gupta, et al., «Multiple Vacuum Arc Derived Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из плазменного пинча, полученного на основе множества дуговых разрядов в вакууме). Патент США №4,751,723, 14 июня 1988 г.
R.P.Gupta, et al., «Gas Discharge Derived Annular Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из кольцевого плазменного пинча, полученного на основе газового разряда). Патент США №4,752,946, 21 июня 1988 г.
J.C.Riordan, J.S. Peariman, «Filter Apparatus for use with an X-ray Source» (Фильтр для использования с рентгеновским источником). Патент США №4,837,794, 6 июня 1989 г.
W.Neff, et al., «Device for Generating X-radiation with a Plasma Source» (Устройство для генерации рентгеновского излучения с плазменным источником). Патент США №5,023,897, 11 июня 1991 г.
D.A.Hammer, D.H.Kalantar, «Method and Apparatus for Microlithography Using X-Pinch X-Ray Source» (Способ и устройство для микролитографии с использованием источника рентгеновского излучения Х-пинча). Патент США №5,102,776, 7 апреля 1992 г.
M.W.McGeoch, «Plasma X-Ray Source» (Плазменный источник рентгеновского излучения). Патент США №5,504,795, 2 апреля 1996 г.
G.Schriever, et al., «Laser-produced Lithium Plasma as a Narrow-band Extended Ultraviolet Radiation Source for Photoelectron Spectroscopy» (Литиевая плазма, полученная с помощью лазера, как узкополосный протяженный источник ультрафиолетового излучения для фотоэлектронной спектроскопии). Applied Optics, Vol.37, №7, pp.1243-1248, March 1998.
R.Lebert, et al., «A Gas Discharged Based Radiation Source for EUV Lithography» (Источник излучения на основе газового разряда для ВУФ литографии). Int.Conf. On Micro and Nano Engineering (Международная конференция по микро- и нанотехнике), сентябрь, 1998.
W.T.Silfast, et al., «High-power Plasma Discharge Source at 13,5 nm and 11.4 nm for EUV Lithography» (Мощный источник газоразрядной плазмы с излучением на 13,5 нм и 11,4 нм для ВУФ литографии). SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.272-275, March 1999.
F.Wu, et al., «The Vacuum Spark and Spherical Pinch X-ray/EUV Point Sources» (Точечные источники рентгеновского/ВУФ излучения на основе вакуумного искрового разряда и сферического пинча), SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.410-420, March 1999.
I.Fomenkov, W.Partlo, D.Birx. «Chracterization of a 13,5 nm for EUV Lithography based on a Dense Plasma Focus and Lithium Emission» (Определение параметров спектральной линии 13,5 нм для ВУФ литографии на основе плотного плазменного фокуса и излучения лития), Sematech International Workshop on EUV Lithography, October, 1999.
Вот все патенты использованные при создании сканеров ASML, и все они до единого принадлежат США.
Эта заявка является частичным продолжением патентной заявки США peг. №09/590,962, поданной 9 июня 2000 г., патентной заявки США peг. №09/442,582, поданной 18 ноября 1999 г., и патентной заявки США per. №09/324,526, поданной 2 июня 1999 г., которая была частичным продолжением патентной заявки США peг. №09/268,243, поданной 15 марта 1999 г., которая теперь является патентом США №6,064,072, и патентной заявки США peг. №09/093,416, поданной 8 июня 1998 г., которая теперь является патентом США №6,051,841, причем эта заявка была частичным продолжением патентной заявки США peг. №08/854,507, которая теперь является патентом США №5,763,930. Это изобретение касается источников высокоэнергетичных фотонов, и в частности очень надежных источников рентгеновского излучения и высокоэнергетичного ультрафиолетового излучения.
M.Dawson, «X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения). Патент США №3,961,197, 1 июня 1976 г.
T.G.Roberts, et al., «Intense, Energetic Electron Beam Assisted X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения, создаваемого интенсивным высокоэнергетичным электронным пучком). Патент США №3,969,628, 13 июля 1976 г.
J.H.Lee, «Hypocycloidal Pinch Device» (Устройство для создания гипоциклоидального пинча), Патент США №4,042,848, 16 августа 1977 г.
L.Cartz, et al., «Laser Beam Plasma Pinch X-Ray System» (Система для получения рентгеновского излучения плазменного пинча, создаваемого лазерным пучком). Патент США №4,504,964, 12 марта 1985 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-Ray Apparatus» (Устройство для получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,536,884, 20 августа 1985 г.
S.Iwamatsu, «X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения). Патент США №4,538,291, 27 августа 1985 г.
G.Herziger, W.Neff, «Apparatus for Generating a Source of Plasma with High Radiation Intensity in the X-ray Region» (Устройство для создания источника плазмы с интенсивным излучением в рентгеновской области спектра). Патент США №4,596,030, 17 июня 1986 г.
A.Weiss, et al., «X-Ray Lithography System» (Литографическая система с облучением рентгеновским излучением). Патент США №4,618,971, 21 октября 1986 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-ray Method» (Способ получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,633,492, 30 декабря 1986 г.
I.Okada, Y. Saitoh, «X-Ray Source and X-Ray Lithography Method» (Рентгеновский источник и способ литографии с рентгеновским облучением). Патент США №4,635,282, 6 июня 1987 г.
R.P.Gupta, et al., «Multiple Vacuum Arc Derived Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из плазменного пинча, полученного на основе множества дуговых разрядов в вакууме). Патент США №4,751,723, 14 июня 1988 г.
R.P.Gupta, et al., «Gas Discharge Derived Annular Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из кольцевого плазменного пинча, полученного на основе газового разряда). Патент США №4,752,946, 21 июня 1988 г.
J.C.Riordan, J.S. Peariman, «Filter Apparatus for use with an X-ray Source» (Фильтр для использования с рентгеновским источником). Патент США №4,837,794, 6 июня 1989 г.
W.Neff, et al., «Device for Generating X-radiation with a Plasma Source» (Устройство для генерации рентгеновского излучения с плазменным источником). Патент США №5,023,897, 11 июня 1991 г.
D.A.Hammer, D.H.Kalantar, «Method and Apparatus for Microlithography Using X-Pinch X-Ray Source» (Способ и устройство для микролитографии с использованием источника рентгеновского излучения Х-пинча). Патент США №5,102,776, 7 апреля 1992 г.
M.W.McGeoch, «Plasma X-Ray Source» (Плазменный источник рентгеновского излучения). Патент США №5,504,795, 2 апреля 1996 г.
G.Schriever, et al., «Laser-produced Lithium Plasma as a Narrow-band Extended Ultraviolet Radiation Source for Photoelectron Spectroscopy» (Литиевая плазма, полученная с помощью лазера, как узкополосный протяженный источник ультрафиолетового излучения для фотоэлектронной спектроскопии). Applied Optics, Vol.37, №7, pp.1243-1248, March 1998.
R.Lebert, et al., «A Gas Discharged Based Radiation Source for EUV Lithography» (Источник излучения на основе газового разряда для ВУФ литографии). Int.Conf. On Micro and Nano Engineering (Международная конференция по микро- и нанотехнике), сентябрь, 1998.
W.T.Silfast, et al., «High-power Plasma Discharge Source at 13,5 nm and 11.4 nm for EUV Lithography» (Мощный источник газоразрядной плазмы с излучением на 13,5 нм и 11,4 нм для ВУФ литографии). SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.272-275, March 1999.
F.Wu, et al., «The Vacuum Spark and Spherical Pinch X-ray/EUV Point Sources» (Точечные источники рентгеновского/ВУФ излучения на основе вакуумного искрового разряда и сферического пинча), SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.410-420, March 1999.
I.Fomenkov, W.Partlo, D.Birx. «Chracterization of a 13,5 nm for EUV Lithography based on a Dense Plasma Focus and Lithium Emission» (Определение параметров спектральной линии 13,5 нм для ВУФ литографии на основе плотного плазменного фокуса и излучения лития), Sematech International Workshop on EUV Lithography, October, 1999.
К примеру ночью на небольшом морозе с подключенными эйрподс снимал северное сияние и была установлена заставка использующая GPS. Ну и 4G у меня не отключается 24/7. Вообщем он во время обработки фото тупо перезапускался. Это 14 про.
13про не хотел брать заряд после плотного дня сьемок на Сицилии. Но повторюсь Самсы лагали куда чаще, не говоря о Сяоми у которого просто через час на небольшой жаре начинал вылетать Андроид Авто.
Плавность хода, это совокупность различных систем и узлов. Коробки, двигателя, подвески, развесовки, работы таких простых систем как BAS, ASR и так далее.
Мне после 50 км в этом автомобиле просто хочется выйти.
T-roc и T-cross сравнивал в базе + полный пакет ассистентов + камеры и парктроники( стандарт для каршеринга). Салоны там и там бедный.
Но моё мнение весьма субъективно как и ваше. Тут скорее с чего пересел в этот T-cross.
Но современные 4 цилиндра с турбиной и потише и едут намного бодрее. И расход такой же.
1. Какой у вас телефон?
2. Довольны ли вы им?
Делают отметки и идут дальше.
И судя по рейтингу, опрос проводили на улицах Китая.
Это тот случай когда рейтинг ничего не говорит о качествах смартфон, зато многое говорит а качествах людей.
В принципе если перестать ее поставлять, то это может на пару лет остановить деятельность ASML. Пока не разработают и не наладят производство в другом месте. И да это нужно делать уже сейчас. Год назад в ЕС приняли многомиллиардный проект по выпуску собственных полупроводниковых чипов с полной локализацией. Вот, не знаю на каком там все этапе, но возможно года через 2-3 смысла в прекращении поставок уже не будет.
Но так как рынок авто в ЕС самый большой в мире то и количество авто с механикой там самое большое.
M.Dawson, «X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения). Патент США №3,961,197, 1 июня 1976 г.
T.G.Roberts, et al., «Intense, Energetic Electron Beam Assisted X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения, создаваемого интенсивным высокоэнергетичным электронным пучком). Патент США №3,969,628, 13 июля 1976 г.
J.H.Lee, «Hypocycloidal Pinch Device» (Устройство для создания гипоциклоидального пинча), Патент США №4,042,848, 16 августа 1977 г.
L.Cartz, et al., «Laser Beam Plasma Pinch X-Ray System» (Система для получения рентгеновского излучения плазменного пинча, создаваемого лазерным пучком). Патент США №4,504,964, 12 марта 1985 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-Ray Apparatus» (Устройство для получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,536,884, 20 августа 1985 г.
S.Iwamatsu, «X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения). Патент США №4,538,291, 27 августа 1985 г.
G.Herziger, W.Neff, «Apparatus for Generating a Source of Plasma with High Radiation Intensity in the X-ray Region» (Устройство для создания источника плазмы с интенсивным излучением в рентгеновской области спектра). Патент США №4,596,030, 17 июня 1986 г.
A.Weiss, et al., «X-Ray Lithography System» (Литографическая система с облучением рентгеновским излучением). Патент США №4,618,971, 21 октября 1986 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-ray Method» (Способ получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,633,492, 30 декабря 1986 г.
I.Okada, Y. Saitoh, «X-Ray Source and X-Ray Lithography Method» (Рентгеновский источник и способ литографии с рентгеновским облучением). Патент США №4,635,282, 6 июня 1987 г.
R.P.Gupta, et al., «Multiple Vacuum Arc Derived Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из плазменного пинча, полученного на основе множества дуговых разрядов в вакууме). Патент США №4,751,723, 14 июня 1988 г.
R.P.Gupta, et al., «Gas Discharge Derived Annular Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из кольцевого плазменного пинча, полученного на основе газового разряда). Патент США №4,752,946, 21 июня 1988 г.
J.C.Riordan, J.S. Peariman, «Filter Apparatus for use with an X-ray Source» (Фильтр для использования с рентгеновским источником). Патент США №4,837,794, 6 июня 1989 г.
W.Neff, et al., «Device for Generating X-radiation with a Plasma Source» (Устройство для генерации рентгеновского излучения с плазменным источником). Патент США №5,023,897, 11 июня 1991 г.
D.A.Hammer, D.H.Kalantar, «Method and Apparatus for Microlithography Using X-Pinch X-Ray Source» (Способ и устройство для микролитографии с использованием источника рентгеновского излучения Х-пинча). Патент США №5,102,776, 7 апреля 1992 г.
M.W.McGeoch, «Plasma X-Ray Source» (Плазменный источник рентгеновского излучения). Патент США №5,504,795, 2 апреля 1996 г.
G.Schriever, et al., «Laser-produced Lithium Plasma as a Narrow-band Extended Ultraviolet Radiation Source for Photoelectron Spectroscopy» (Литиевая плазма, полученная с помощью лазера, как узкополосный протяженный источник ультрафиолетового излучения для фотоэлектронной спектроскопии). Applied Optics, Vol.37, №7, pp.1243-1248, March 1998.
R.Lebert, et al., «A Gas Discharged Based Radiation Source for EUV Lithography» (Источник излучения на основе газового разряда для ВУФ литографии). Int.Conf. On Micro and Nano Engineering (Международная конференция по микро- и нанотехнике), сентябрь, 1998.
W.T.Silfast, et al., «High-power Plasma Discharge Source at 13,5 nm and 11.4 nm for EUV Lithography» (Мощный источник газоразрядной плазмы с излучением на 13,5 нм и 11,4 нм для ВУФ литографии). SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.272-275, March 1999.
F.Wu, et al., «The Vacuum Spark and Spherical Pinch X-ray/EUV Point Sources» (Точечные источники рентгеновского/ВУФ излучения на основе вакуумного искрового разряда и сферического пинча), SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.410-420, March 1999.
I.Fomenkov, W.Partlo, D.Birx. «Chracterization of a 13,5 nm for EUV Lithography based on a Dense Plasma Focus and Lithium Emission» (Определение параметров спектральной линии 13,5 нм для ВУФ литографии на основе плотного плазменного фокуса и излучения лития), Sematech International Workshop on EUV Lithography, October, 1999.
Эта заявка является частичным продолжением патентной заявки США peг. №09/590,962, поданной 9 июня 2000 г., патентной заявки США peг. №09/442,582, поданной 18 ноября 1999 г., и патентной заявки США per. №09/324,526, поданной 2 июня 1999 г., которая была частичным продолжением патентной заявки США peг. №09/268,243, поданной 15 марта 1999 г., которая теперь является патентом США №6,064,072, и патентной заявки США peг. №09/093,416, поданной 8 июня 1998 г., которая теперь является патентом США №6,051,841, причем эта заявка была частичным продолжением патентной заявки США peг. №08/854,507, которая теперь является патентом США №5,763,930. Это изобретение касается источников высокоэнергетичных фотонов, и в частности очень надежных источников рентгеновского излучения и высокоэнергетичного ультрафиолетового излучения.
M.Dawson, «X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения). Патент США №3,961,197, 1 июня 1976 г.
T.G.Roberts, et al., «Intense, Energetic Electron Beam Assisted X-Ray Generator» (Генератор рентгеновского излучения, создаваемого интенсивным высокоэнергетичным электронным пучком). Патент США №3,969,628, 13 июля 1976 г.
J.H.Lee, «Hypocycloidal Pinch Device» (Устройство для создания гипоциклоидального пинча), Патент США №4,042,848, 16 августа 1977 г.
L.Cartz, et al., «Laser Beam Plasma Pinch X-Ray System» (Система для получения рентгеновского излучения плазменного пинча, создаваемого лазерным пучком). Патент США №4,504,964, 12 марта 1985 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-Ray Apparatus» (Устройство для получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,536,884, 20 августа 1985 г.
S.Iwamatsu, «X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения). Патент США №4,538,291, 27 августа 1985 г.
G.Herziger, W.Neff, «Apparatus for Generating a Source of Plasma with High Radiation Intensity in the X-ray Region» (Устройство для создания источника плазмы с интенсивным излучением в рентгеновской области спектра). Патент США №4,596,030, 17 июня 1986 г.
A.Weiss, et al., «X-Ray Lithography System» (Литографическая система с облучением рентгеновским излучением). Патент США №4,618,971, 21 октября 1986 г.
A.Weiss, et al., «Plasma Pinch X-ray Method» (Способ получения рентгеновского излучения плазменного пинча). Патент США №4,633,492, 30 декабря 1986 г.
I.Okada, Y. Saitoh, «X-Ray Source and X-Ray Lithography Method» (Рентгеновский источник и способ литографии с рентгеновским облучением). Патент США №4,635,282, 6 июня 1987 г.
R.P.Gupta, et al., «Multiple Vacuum Arc Derived Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из плазменного пинча, полученного на основе множества дуговых разрядов в вакууме). Патент США №4,751,723, 14 июня 1988 г.
R.P.Gupta, et al., «Gas Discharge Derived Annular Plasma Pinch X-Ray Source» (Источник рентгеновского излучения из кольцевого плазменного пинча, полученного на основе газового разряда). Патент США №4,752,946, 21 июня 1988 г.
J.C.Riordan, J.S. Peariman, «Filter Apparatus for use with an X-ray Source» (Фильтр для использования с рентгеновским источником). Патент США №4,837,794, 6 июня 1989 г.
W.Neff, et al., «Device for Generating X-radiation with a Plasma Source» (Устройство для генерации рентгеновского излучения с плазменным источником). Патент США №5,023,897, 11 июня 1991 г.
D.A.Hammer, D.H.Kalantar, «Method and Apparatus for Microlithography Using X-Pinch X-Ray Source» (Способ и устройство для микролитографии с использованием источника рентгеновского излучения Х-пинча). Патент США №5,102,776, 7 апреля 1992 г.
M.W.McGeoch, «Plasma X-Ray Source» (Плазменный источник рентгеновского излучения). Патент США №5,504,795, 2 апреля 1996 г.
G.Schriever, et al., «Laser-produced Lithium Plasma as a Narrow-band Extended Ultraviolet Radiation Source for Photoelectron Spectroscopy» (Литиевая плазма, полученная с помощью лазера, как узкополосный протяженный источник ультрафиолетового излучения для фотоэлектронной спектроскопии). Applied Optics, Vol.37, №7, pp.1243-1248, March 1998.
R.Lebert, et al., «A Gas Discharged Based Radiation Source for EUV Lithography» (Источник излучения на основе газового разряда для ВУФ литографии). Int.Conf. On Micro and Nano Engineering (Международная конференция по микро- и нанотехнике), сентябрь, 1998.
W.T.Silfast, et al., «High-power Plasma Discharge Source at 13,5 nm and 11.4 nm for EUV Lithography» (Мощный источник газоразрядной плазмы с излучением на 13,5 нм и 11,4 нм для ВУФ литографии). SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.272-275, March 1999.
F.Wu, et al., «The Vacuum Spark and Spherical Pinch X-ray/EUV Point Sources» (Точечные источники рентгеновского/ВУФ излучения на основе вакуумного искрового разряда и сферического пинча), SPIE Proc. On Emerging Lithographic Technologies III, Vol. 3676, pp.410-420, March 1999.
I.Fomenkov, W.Partlo, D.Birx. «Chracterization of a 13,5 nm for EUV Lithography based on a Dense Plasma Focus and Lithium Emission» (Определение параметров спектральной линии 13,5 нм для ВУФ литографии на основе плотного плазменного фокуса и излучения лития), Sematech International Workshop on EUV Lithography, October, 1999.