Вот вы и сами дошли до смысла сказанного вами, физически задержки доступа к ОЗУ не уменьшаются, более того при наличии данных в кэше доступ к ОЗУ вообще не нужен, так что кэш не уменьшает задержки доступа к ОЗУ, а сокрашает необходимость обращаться к нему.
Все остальное в принципе не касается предмета нашего спора, про ассоциативность я в курсе, это базовые знания для завсегдатаев IT ресурсов, вы так пишете как будто только вы знаете как работает процессор и его подсистемы памяти, хотя говоря про межъядерное взаимодействие вы не учли что у физического ядра и smt части один и тот же кэш и соответсвенно могут передавать данные друг другу не только минуя ОЗУ, но и получая гораздо меньшие задержки(менее 7нс) при обмене данными между собой даже по сравнению с другими потоками в пределах одного кристалла(16-18нс). Именно тут и кроется узкое место SMT и замедление основного потока при недостатке кэша. А с большим объемом кэша проблема исчезает.
Даже в этой новости, если посмотреть на изображения видно один процессор из семейства X3D которому отключение SMT в играх даёт -0.2% производительности, тоесть получается что в процессорах с большим кэшем SMT ничего не тормозит.
Кэш не уменьшает задержки доступа к ОЗУ, если данные есть в кэше обращение к ОЗУ в принципе не нужно для выполнения инструкций, соответсвенно простоев меньше, тоесть большой кэш обеспечивает данными процессор лучше чем маленький так как меньше промахов и запросов данных из ОЗУ. Собственно под этим я и подразумевают что большой кэш «загружает» данными лучше чем маленький.
У X3D процессоров отключение SMT наоборот веде к потере производительности даже в играх, видимо в обычных процессорах кэш неспособен загрузить одновременно данными основное ядро и SMT часть процессора в играх, а X3D наоборот может подавать гораздо большее количество данных, основной и дополнительный поток не конкурируют за данные, поэтому негативного влияния SMT на производительность в играх нет, а отключение наоборот ведёт к потере производительности.
Заголовок кликбейтный, вы хоть обратите внимание на данные, такой прирост только с PBO, считай в разгоне, в стоке отключение SMT в играх даёт в среднем +2,6%, а в приложениях теряет -9% производительности. Тоесть смысла отключать в принципе нет, с таким же успехом можно включить PBO вместе с SMT и получить примерно такую же производительность.
Вы не поняли, для настольных процессоров Ryzen серии G используются монолитные кристаллы, которые так же используются и в ноутбучных процессорах, соответсвенно из-за разницы в толщине кристалла крышку теплораспределителя не крепят на припой, как в других процессорах Ryzen, а используют термопасту.
Думаю акционеры говорят о фейле intel со стабильностью и деградацией процессоров, эту проблему intel пыталась скрыть, хотя давно о ней знала, куча расследований от IT ресурсов и заявлений от разных компаний это подтверждают, и именно это сильно повлияло на стоимость акций, что естественно расстроило акционеров.
Ну фактов тут нет, обычное фанатское преувеличение, то что есть сценарии где 13600k побеждает 9700x не означает что он побеждает его во всех задачах, например в некоторых задачах новые младшие процессоры AMD обходят топовые 14900k и 14900ks с отключенными лимитами питания, при этом стоят они дешевле и потребляют заметно меньше, но почему то на основе этих данных тут никто не заявляет что 9700x «догнал и перегнал» 14900k.
Давай не будем придумывать и переиначивать мои слова, я не говорил «tsmc все публикует» читай внимательно что именно я пишу. Мы ведём обсуждения о том честные у intel нанометры или нет, сравнение техпроцессов происходит именно в этом ключе, я привел пример того как у intel цифры их наименований и классов техпроцесса не сходятся с наименованием и классом техпроцессов конкурента, даже по их же маркетинговым материалам, в контексте этого вообще не важно какой плотности библиотеки, мы обсуждаем не конечные продукты, а эволюцию техпроцессов.
По поводу цифр, мы можем доверять измерению транзисторов, и по этим показателям у процессоров TSMC все компактнее, на примере ячеек sram, которые универсальные и поэтому по их размерам можно оценивать разницу в техпроцессах, и мы видим что и во времена intel 7 против tsmc 7n техпроцессы intel отставали от конкурентов и сейчас intel 4 отстаёт от tsmc 5, согласно вашего же источника wikichip, кстати если порыться в их материалах, то там находятся забавные моменты, такие как например изначальные 10 нм от intel имели более высокую плотность чем intel 7(переименованные и отлаженные 10 нм), что в принципе совпадает с хронологией, так как с изначальными 10 нм были проблемы с большим выходом брака, и видимо решение этой проблемы было в уменьшении плотности техпроцесса. Так же в примерах их методики расчета плотности оказывается что обычные 14 нм intel более плотные чем 14++ нм.
А чем юридически иностранный канал в тг, с достаточной аудиторией в РФ, отличается от запрещенных в России твиттера и инсты и прочих заблокированных сайтов которые к РФ тоже отношения не имеют?
Это ты похоже статью не открывал, там нет замеров и фоток чипа от tsmc, только древний график где написано что tsmc 5нм имеет какую то плотность, но нигде нет данных откуда у них эта цифра, я посмотрел статьи о 5 нм техпроцессах tsmc и там тоже нет данных откуда эта цифра взялась, более того там цифры вообще другие, а если посмотреть на методику по которой они считают плотность то выясняется что плотность они считают примерную, по формуле на основе двух стандартных ячеек которые присутствуют в большинстве стандартных библиотек, nand2 и sff, одна ячейка маленькая, одна большая, они делят определенные значения и умножают на коэффициент, который сами же и придумали, тоесть никакого реального замера плотности там нет, они даже не учитывают что в тех процессе могут быть нестандартные ячейки, что в общем то вполне распространенное явление, и вот на это ты ссылаешься в качестве пруфа, tsmc знает свои техпроцессы вдоль и поперек и учитывает все возможные библиотеки и ячейки при расчете плотности.
Я принес их данные потому что для Intel данных больше неоткуда брать, она их скрывает, а для tsmc есть официальный источник данных, и сравнивать техпроцесс низкой плотности с высокой плотностью вполне уместно, они относятся к одному классу и не моя вина что в этом классе у intel не было тех процесса высокой плотности, хотя это бы все равно не спасло intel техпроцесс с высокой плотностью только на 10% плотнее.
На чем основанны оценка wikichip, я что то не нашёл их пруфов на цифру плотности 93 для tsmc 5n, откуда она взялась, какой кристалл они исследовали, может они исследовали образец сделанный по библиотеке низкой плотности, поэтому я больше доверяю оценки плотности от самой TSMC. По поводу на 10% возросшей плотности intel 3 относительно intel 4 вот пруф https://wccftech.com/intel-3-process-node-18-percent-performance-same-power-10-percent-higher-density-shipping-xeon-6-cpus-now/
Так же если смотреть на данные wikichip 10нм от intel превосходят 7 нм tsmc, но сама же intel признавала что они отстают от tsmc на этих процессах, так что опять не сходится. Да и тот факт что intel стала прятать цифры плотности что бы ее техпроцессу нельзя было напрямую сравнить с конкурентами о многом говорит.
Этого вы не узнаете точно, так как intel теперь скрывает данные о плотности, но мы знаем что 7nm которые переименовали в intel 4 обеспечивают плотность 123 MTr/mm2, соответсвенно intel 3 у которого плотность выше на 10% получается по плотности в районе 135 MTr/mm2, для сравнения tsmc 5n даёт плотность 138 MTr/mm2, а tsmc 3n 224 MTr/mm2. Вот только intel 3 почему-то преподносится как техпроцесс 3нм класса, как tsmc 3n, но как мы видим по плотности не доходит даже до tsmc 5n.
Все остальное в принципе не касается предмета нашего спора, про ассоциативность я в курсе, это базовые знания для завсегдатаев IT ресурсов, вы так пишете как будто только вы знаете как работает процессор и его подсистемы памяти, хотя говоря про межъядерное взаимодействие вы не учли что у физического ядра и smt части один и тот же кэш и соответсвенно могут передавать данные друг другу не только минуя ОЗУ, но и получая гораздо меньшие задержки(менее 7нс) при обмене данными между собой даже по сравнению с другими потоками в пределах одного кристалла(16-18нс). Именно тут и кроется узкое место SMT и замедление основного потока при недостатке кэша. А с большим объемом кэша проблема исчезает.
По поводу цифр, мы можем доверять измерению транзисторов, и по этим показателям у процессоров TSMC все компактнее, на примере ячеек sram, которые универсальные и поэтому по их размерам можно оценивать разницу в техпроцессах, и мы видим что и во времена intel 7 против tsmc 7n техпроцессы intel отставали от конкурентов и сейчас intel 4 отстаёт от tsmc 5, согласно вашего же источника wikichip, кстати если порыться в их материалах, то там находятся забавные моменты, такие как например изначальные 10 нм от intel имели более высокую плотность чем intel 7(переименованные и отлаженные 10 нм), что в принципе совпадает с хронологией, так как с изначальными 10 нм были проблемы с большим выходом брака, и видимо решение этой проблемы было в уменьшении плотности техпроцесса. Так же в примерах их методики расчета плотности оказывается что обычные 14 нм intel более плотные чем 14++ нм.
Я принес их данные потому что для Intel данных больше неоткуда брать, она их скрывает, а для tsmc есть официальный источник данных, и сравнивать техпроцесс низкой плотности с высокой плотностью вполне уместно, они относятся к одному классу и не моя вина что в этом классе у intel не было тех процесса высокой плотности, хотя это бы все равно не спасло intel техпроцесс с высокой плотностью только на 10% плотнее.
Так же если смотреть на данные wikichip 10нм от intel превосходят 7 нм tsmc, но сама же intel признавала что они отстают от tsmc на этих процессах, так что опять не сходится. Да и тот факт что intel стала прятать цифры плотности что бы ее техпроцессу нельзя было напрямую сравнить с конкурентами о многом говорит.