SK Hynix

У SK Hynix готовы микросхемы памяти GDDR5, способные работать на эффективной частоте 8 ГГц

У SK Hynix готовы микросхемы памяти GDDR5, способные работать на эффективной частоте 8 ГГц

Микросхемы памяти SK Hynix GDDR5, способные работать на эффективной частоте 8 ГГц, предназначены для GPU

У SK Hynix готовы модули памяти NVDIMM рекордно большого объема

У SK Hynix готовы модули памяти NVDIMM рекордно большого объема

В модулях памяти SK Hynix NVDIMM используется память DDR4, изготовленная по технологии 20-нанометрового класса

Модули памяти Century Micro RDIMM DDR4-2133 ECC предложены по одному и в наборах объемом 32 ГБ

Модули памяти Century Micro RDIMM DDR4-2133 ECC предложены по одному и в наборах объемом 32 ГБ

В модулях памяти Century Micro CD8G-D4RE2133L82 используются микросхемы памяти DRAM производства SK Hynix

У SK Hynix готов первый в мире модуль памяти DDR4 объемом 128 ГБ

У SK Hynix готов первый в мире модуль памяти DDR4 объемом 128 ГБ

Серийный выпуск модулей памяти DDR4 объемом 128 ГБ SK Hynix планирует начать в первой половине будущего года

Samsung наращивает производство DRAM по нормам 25 нм

Micron большинство чипов DRAM выпускает с использованием 30-нанометрового техпроцесса, SK Hynix — 29-нанометрового

SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памяти NAND

SK Hynix раскрыла подробности техпроцесса, используемого для выпуска 16-нанометровой флэш-памяти NAND

Новая технология является развитием технологии, представленной на IEDM в 2011 году

SK Hynix первой освоила массовый выпуск флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 16 нм

SK Hynix первой освоила массовый выпуск флэш-памяти типа MLC NAND по нормам 16 нм

Плотность первых чипов флэш-памяти MLC NAND, выпускаемых SK Hynix по нормам 16 нм, равна 64 Гбит

У SK Hynix готова память LPDDR3 20-нанометрового класса плотностью 6 Гбит для мобильных устройств

У SK Hynix готова память LPDDR3 20-нанометрового класса плотностью 6 Гбит для мобильных устройств

Память SK Hynix LPDDR3 плотностью 6 Гбит предназначена для мобильных устройств верхнего сегмента

Пожар на предприятии SK Hynix может подтолкнуть Samsung к увеличению выпуска памяти DRAM для ПК

Доля Samsung на мировом рынке мобильной памяти DRAM по состоянию на конец второго квартала 2013 года составляет 50,3%

Пожар на фабрике SK Hynix может вызвать дефицит памяти и рост цен

SK Hynix удалось частично восстановить работу фабрики, пострадавшей от пожара

SK Hynix выпускает память DDR3L-Reduced Standby для мобильных устройств

SK Hynix выпускает память DDR3L-Reduced Standby для мобильных устройств

Память SK Hynix DDR3L-Reduced Standby изготавливается по технологии 20-нанометрового класса

SK Hynix расширяет производство флэш-памяти

SK Hynix рассчитывает увеличить долю NAND в структуре доходов