В прошлом году компания Asus отклонилась от стандартов, чтобы увеличить емкость модулей памяти DDR4 DIMM, воспользовавшись возможностями чипсета Intel Z390. Она предложила модели Double Capacity DIMM или DC DIMM, которые отличались большим числом микросхем DRAM, для размещения которых пришлось увеличить высоту модулей.
С началом поставок микросхем DDR4 DRAM плотностью 16 Гбит появилась возможность выпускать небуферизованные модули DIMM объемом 32 ГБ стандартной высоты, полностью соответствующие спецификациям JEDEC. Похоже, что на этот раз первой оказалась компания Adata, продемонстрировавшая такие модули на Computex 2019.
Модуль AD4U2666732GX16 объемом 32 ГБ работает на частоте DDR4-2666 при напряжении питания 1,2 В. В нем используются микросхемы DRAM производства Micron Technology, выпускаемые по технологии «10-нанометрового класса» третьего поколения. Хотя Adata не раскрывает сроки начала поставок AD4U2666732GX16, ожидается, что массовыми модули такого типа станут во втором полугодии этого года или в будущем году, с появлением процессоров AMD Ryzen третьего поколения (Matisse) и настольных процессоров Intel Ice Lake-S.
Кроме того, есть надежда, что производители модулей памяти воспользуются наличием микросхем DDR4 DRAM плотностью 16 Гбит, чтобы выпустить высокоскоростные одноранговые модули DIMM объемом 16 ГБ. В итоге двухканальная конфигурация 2 х 16 ГБ сменит в основном сегменте конфигурацию 2 × 8 ГБ, преобладающую в течение последних пяти лет.