Но куда энергия в таком случае девается? Из рассмотренного примера — если 0,7 В падения, то барьер 0,5-0,6 В для слаботочных биполярных (не униполярных Шоттки) диодов был преодолён и ток потёк 1 А, допустим, то мощность должга быть выделена на активных потерях диода — на сопротивлении базы, т.н. омические потери, это те самые 0,1-0,2 В сверх ширины потенциального барьера. В том случае, если барьер не преодолён, то прямой ток стремится к нулю и всё тепловыделение на нём стремится к нулю, так же как и обратный тепловой ток (минимальны). Вот и где здесь «горка», если приложенные 0,5-0,6 В к такому же барьеру не создадут его нагрева кроме как теловым током и, может быть, «туннельными» утечками? У меня просто не получается разглядеть горку, я исхожу из того, что если мощность затрачивается, значит она должна во что-то преобразовываться, в тепло или отдаваться в нагрузку, а здесь как у конеденсатора — сколько дали — столько и забрали, минус потери. Ведь тот же самый p-n переход точно так же можно рассматривать как конденсатор, по крайней мере в статическом режиме.
Ну, решить-то можно, если «перевернуть» слой транзисторов и 10 слоёв стекла и проводников, чтоб выделяющие тепло элементы не теплоизолировались слоями связей, как это сделали для матриц с обратной засеткой, да корпусировать не под сплошную крышку + припой или компаунд, а голый кристалл + рамка вокруг, как у видеокарт. В любом случае есть что улучшить и отодвинуть порог.
Говоря точнее, по ширине запрещенной зоны диселениды гафния и циркония, как и кремний, находятся в оптимальном диапазоне: если бы она была уже, высокие токи утечки препятствовали бы надежной работе, а если бы она была шире, возросло бы энергопотребление.
Кто-нибудь может объяснить почему в потерях энергопотребления учитывают паденияе напряжения на потенциальном барьере, т.е. той энергии, которая не выполняет никакой работы, а просто «блокируется» и идёт на статическое преодоление порога после которого совершается «работа»?
Нет, TDP — это фактическая средняя мощность за 1 секунду, которую гарантирует производитель. Это у вас в вашем понимании TDP — «разглогольство». У производителей же оно однозначно определёно и соблюдается. Это как если бы вес в граммах не однозначно определяли бы.
При этом не менее интересны будут «фирменная» цветопередача от Панасоник и мыльная чёткость и полуслепая камера на одной матрице всё от тогоже Панасоник. (кто не знает, то Панасоник был спецом по трёхматричным системам, а вот с одной матрицей (не CCD, а BSI CMOS) он почти новичёк)
Поговаривают, что Волшебник освоил технологию упаковки не 16 кристаллов в один корпус, а 32, так же как и рассчёт ёмкости ведётся уже не в метрике TLC, а в QLC.
А вот и нет. Не вспомню точно сколько там TDP у Трипера, допустим, 150, т.е. при 1,25 В это 125 А, подняв до 1,4 В (на 0,15 В) мы получим 175 Вт, что для 16 ядер на частоте 4,1 ГГц под полной загрузкой крайне скромно. Так что, вероятно, речь идёт о турбобусте всего пары ядер, а не всех. тубобуст для всех, ну, скажем, будут те же 100 МГц к базовой, т.е. 3,5, во что тоже с трудом верится (что она на полной нагрузке держится), у конкурента, это частоты для аналогичного TDP уровня 2,6-2,8 ГГц.
Сделайте же нормальное редактирование и отмену цитирования, невозможно же...
По формуле U является зависимой от частоты, но для понимания f является зависимой от рабочего напряжения — не поднимешь U — не повысишь f.
Это спорное утверждение. Ставить можно сколько угодно, а вот будет ли работать на такой частоте при полной загрузке? Или по-другому: «А на какой частоте будет работать при полной загрузке?» Предпосылка есть — аналогичные ядра (с такими же частотами), но в меньшем количестве, потребялют жвукратно больше.
Если не ошибаюсь, то в точку по центру сходятся лучи, идущие от объекта на оптической оси, а от объектов смещённых от неё и находящихся в фокусе идут в такую же точку, но смещённую от опт. оси. Иначе как бы другие объекты прорисовывались по всему кадру, если бы они только в центр проектировались?.. Другое дело, что сейчас приходится разрабам оптики проектировать её с внесением «предкоррекции искажений», чтобы на переферейные участки на плоскую поверхность лучи точно так же фокусировались в точку, как и в центре. Имхо.
По формуле U является зависимой от частоты, но для понимания f является зависимой от рабочего напряжения — не поднимешь U — не повысишь f.
— для базовой 3,1 на ядро тратится 165/14=11,785 Вт
— для базовой 2,9 на ядро тратится 140/12=11,666 Вт
http://tech-e.ru/2007_5_09.php
https://www.prostanki.com/board/item/68086