wors

Конечно, ведь память классифицируют по рабочим/физическим принципам, а не по подобию. В чём можно объединить — так в том, что это твёрдотельная память, но разных типов. За flash принято считать кремниевую eeprom поколения flash, а никак не твёрдотельную память на фазовом переходе вещества.

Минус заберите себе, кто поставил, Flash память имеет полное название flash-EEPROM (т.е. молниеносно электрически стираемая и программируемая память, хотя даже в исходной аббревиатуре неточность по нынешним меркам, там должно быть не ROM а RAM). Исходя из этого, говорить, что F-EEPROM есть PCM-EEPROM или FRAM, MRAM, ReRAM, NRAM — неправильно, в корне.

Xpoint — не флеш (не молниеносная память). Иначе можно утверждать, что MLC (multi level cell) есть TLC/FLC, не смотря на то, что это подпадает под определение, но, вот не задача, под MLC уже принято считать 2 уровня (разряда), а не 3 и не 4. Так и здесь, молния — это кремниевая память с «плавающими затворами» разных организаций (NAND, NOR), а не кремниевые (с фазовым превращением вещества (PCM), магнитные (FRAM, STRAM, MRAM), резистивные (ReRAM), NanoRAM (MEMS?), голографическая (это вообще отдельная песня)), хоть и являются твёрдотельными, но не являются flash-памятью. Как-то так.

Спасибо, доктор, но мне показалось, что будет смешней смешать Базедовой с бозоном, получился бозедовый.

Поклонник бозедовой болезни?