Xpoint — не флеш (не молниеносная память). Иначе можно утверждать, что MLC (multi level cell) есть TLC/FLC, не смотря на то, что это подпадает под определение, но, вот не задача, под MLC уже принято считать 2 уровня (разряда), а не 3 и не 4. Так и здесь, молния — это кремниевая память с «плавающими затворами» разных организаций (NAND, NOR), а не кремниевые (с фазовым превращением вещества (PCM), магнитные (FRAM, STRAM, MRAM), резистивные (ReRAM), NanoRAM (MEMS?), голографическая (это вообще отдельная песня)), хоть и являются твёрдотельными, но не являются flash-памятью. Как-то так.
Я бы вообще пошёл бы на ва-банк, хотел бы чтоб ЦП пусть были бы и дырявями или дырявее, но быстрее в разы. Кчнечно это не всем надо, особенно если машинка подключена к сети, это даже вредно, но вот изолированные рабочие станции (а тот кто следит за своей безопасностью — так и поступает, где делает важную работу) неплохо было бы ускорить таким способом. Это как DRAM с ECC и DRAM без него — каждому своё. Хорошо бы это можно было бы выбирать (безопасно или быстро) в операционке, как какую-то настройку.
Так используйте соответствующие решения для этой ценовой категории, а то получается из серии: как бы сделать за дёшево, да продать за подороже. Несерьёзно как-то получается.
отказался бы, ибо столько надо только киноделам, которые сырые данные перегоняют во что-то варимое другими редакторами, а рядовому на фиг не нужно, тем более что ёмкость винтов уже за 10 ТБ перевалила, а SSD домашние уже до 4 ТБ доросли.
К CD разве что, там цианин и прочая химия. Мемристор же можно отнести к молнияпамяти, но не классчической с плавающим затвором, а с зарядовыми ловушками, это нынешние поколения объёмной многослойной компоновки от Самсунга и Тошибы. Разница в основном в том, что и куда пишут, у зарядовых ловушек электроны в диэлектрик, у мемристоров по разному, кто в кремний, кто в диэлектрик, кто в металл, но у всех одно и то же — атомы внедряют, к примеру, атом кислорода в металл, атом золота/серебра в кремний или нитрид кремния.
Оптан не мемристор, это CDRW в миниютере. Ну и внешние модули патяи есть же, можно выбрать не высокоплотную ширпотрёбную NAND, а быструю NOR, там вроде нет блочной записи, каждая ячейка индивидуально адресуется. Ну и любой маломальски грамотный разработчик сначала копит в памяти переменные и только через какой-то промежуток уже обновляет блок ячеек, экономя ресурс их и время записи.
«С огнемётами же полный трэш»
Что ты этим хотел сказат, ты-то сам поянл?
А так да, надо в русский вкладываться, а вам в украинский. ;)