При переходе с Ivy Bridge на Haswell добавили 1 (5-й) исполнительный порт конвейеров, добавили внутренний регулятор напряжения. В Skylake при переходе с Broadwell заменили межпроцессорную шину с кольцевой на матричную, пересмотрели рапределение буферов памяти. К примеру.
В ранних новостях на OC про новую писали, что Интел откажется от части существующих инструкций и совместимости со старым ПО во благо наращивания производительности архитектуры.
Ну, не будем заговариваться, если там схожий принцип чтения как и у магниторезистивных головок чтения НЖМД — то срок всё-таки ограниченный этими датчиками поля.
У моего Samsung 840 pro 128 ГБ от 13 или 14 года износ 340% (wear leveling count) — ничё, работает как ни в чём не бывало. И это даже не V-NAND, а обычная планарная MLC.
Предположим, что типичное напряжение питания современных «процессоров» на уровне 1 В, а не 3,7. Т.е. 20 А @ 1 В (20 Вт на выходе), на входе 20 Вт/0,94 КПД=21,3 Вт, 1,3 Вт рассеялось.
По ресурсу Самсунг не оставляет тому Интелу шансов: плавающие затворы в новомодной 3-мерной компоновке (Интел 3D) против передовых зарядовых ловушек в многослойной компоновке (Самсунг V-NAND).
Ещё бы, если делать ставку на «узкоглазых» экраноделителей (танкощелей) и тупо динамить потребности дальнейшего развития 4k экранов больших диагоналей (более 27") не традиционно «фанерной» плоскостности. Да и цены на 4k чего-то задрали высоко… хотите прибылей — снижайте.
Да в общем-то для всего. Одновременная многодокументная работа, планы/чертежи, когда-нибудь пробовали работать с видеоредакторами или с многокамерной съёмкой?
Ответ murka на комментарий
Это вопрос только цены.