Новый тип памяти LLW придёт в смартфоны в 2027 году

Специалисты в области мобильных технологий работают над внедрением инновационного формата памяти LLW (Low Latency Wide DRAM), который должен стать решением проблем пропускной способности, возникающих при использовании локальных моделей искусственного интеллекта на смартфонах. Новый формат памяти разрабатывается как альтернатива существующей памяти LPDDR, которая не способна обеспечить достаточную скорость передачи данных процессорам при работе с крупными ИИ-моделями.

Основной проблемой текущего поколения смартфонов стало узкое место пропускной способности памяти, которое не может быть решено только программными обновлениями. В дата-центрах искусственного интеллекта эта проблема успешно решена благодаря использованию памяти HBM (High Bandwidth Memory), обеспечивающей пропускную способность в 10-15 раз выше, чем LPDDR. Однако технология HBM требует сложных решений по упаковке и охлаждению, что делает её использование на портативных устройствах невозможным из-за проблем с рассеиванием тепла и ограничениями по размерам.

Инженеры позаимствовали базовые принципы конструкции HBM для создания LLW-памяти, которая предоставляет повышенную пропускную способность и сниженную задержку при обращении к данным, одновременно избегая проблем с перегревом и занимаемым пространством. По информации от отраслевых аналитиков, новый формат памяти может снизить энергопотребление мобильных устройств примерно на 50 процентов и повысить общую производительность системы примерно в 1,5 раза.

На текущий момент все сведения о разработке поступают от цифровых блогеров индустрии и не подтверждены официальными заявлениями производителей. Ни один из крупных разработчиков смартфонов не сделал публичных объявлений о данной технологии.

Согласно имеющейся информации, массовое производство устройств с LLW-памятью начнётся только во второй половине 2027 года. Существуют предположения о том, что компании Xiaomi и Huawei могут стать первопроходцами во внедрении этой технологии в своих смартфонах.

Источник: CNMO