во-первых, доступного контроллеру флеша на любом ssd всегда больше, чем объем, декларируемый пользователю.
вот тут в чипах на плате флеша всего 2TiB, то есть примерно 2147 GB, а не 1863 GB, как заявлено для пользователя.
часть этого флеша — дефекты (для нового ssd — заводские, обычно несколько процентов, ноля не бывает), часть — под хранение кода прошивки, загрузчиков и проч. служебки, часть уходит под транслятор LBA-адресов в физические адреса флеша (сколько именно — достоверно неизвестно, но до нескольких процентов).
в режиме последовательной (линейной) записи размер транслятора практически минимальный из возможных (фрагментации нет, все блоки с соседними lba адресами идут подряд), так что в итоге после достижения барьера SLC-буфера остаются свободными вот эти примерно 13 процентов под прямую запись без ухищрений — эта прошивка, похоже, не использует выделенное резервирование блоков флеша, а равномерно использует все доступные свободные.
к тому же заметно, что за это время прямой записи контроллер все таки немножко SLC-буфера успевает разгрести (скорость подпрыгивает, отдельные блоки снова пишутся в SLC-режиме), вероятно это добавляет 2-3% объема для относительно высокой скорости записи.
средние скорости в аиде это, конечно, нечто. по мнению разработчиков аиды получается, что если авто полпути ехал на скорости 90 км/ч, а полпути на 10 км/ч, то средняя скорость будет 50 км/ч, а не 18...
Если опять вспомнить Adata S70, где сначала был Micron B27B, то переход на B47R дал порядка 300 МБ/с записи в кэш и где-то 100 МБ/с вне его.
но вот если сравнить время, потребовавшееся на тест, 21'21" против 27'09" у s70, то оно сократилось на 20%! а значит и разница в скорости не 300 и 100.
если присмотреться, то прямая запись выросла на 500+MBps, а с параллельным разбросом slc-буфера — где-то на 200. незначительное увеличение скорости записи в slc-буфер (процентов на 5) эффекта на сокращение времени теста не оказало, а вот приличный рост скорости прямой записи, увеличение длины этого участка с ~7% до ~13% и рост скорости с разбросом slc-буфера — очень даже. 21 минута на запись 2TB — это, конечно, не 13-14 минут, которые демонстрировал китайский же Reletech P400 Evo 2TB на phison e18 (сейчас этой модели нет в продаже уже несколько месяцев, но вдруг вернется), но не так давно не каждый терабайтник в такое время укладывался.
ресурс не у контроллера, а у флеша. у моего e18 терабайтника наработка 10000+ часов (по smart), 170TBW, smart показывает попугаев здоровья 73%, что примерно соответствует обещавшимся на тот момент 700 циклов p/e (флеш b27b) — вероятно оттуда и рассчитывается :-). забывчивостью не страдает, потерь скорости вообще ни разу не было, а они обычно у многих ssd бывают так или иначе после того как транслятор фрагментируется после длительного периода использования — ни один тест этого не показывает, конечно же, для такого ssd готовить надо неделями смешанной записи. даже у samsung 9x0 evo бывает, да. лечится конечно же быстро — бэкап, secure erase, restore, но просто как факт. впрочем, ярче всего это обычно проявляется у безбуферных ssd.
про новый 2TB e18 ничего сказать не могу — он новый. обещается 1000 циклов p/e (флеш b47). что там на самом деле — будет понятно только через несколько лет
ладно-ладно, я понял, отстал я от жизни.
только вроде автор не обозревал ещё e21+b47r и 69xt+b47r, anand вообще давно ничего не тестил, а на thg не понять какой там флеш, а те e21 что там были — ну вообще не впечатлили. 69xt не помню, чтоб там видел.
но вообще да — устойчивый 1 GBps записи — это уже впечатляет для безбуферника. особенно если у терабайтника.
да я вот как-то sn550 мурыжил — что-то похожее на 64MB получалось кажется. в fio увеличивал объем теста и смотрел на iops (random read 4k в кучу потоков с очередями). хотя это вилами по воде, вот у e12 1:4000 буфер ставили и ничего, работало очень даже бодро. а 32MB, кажется у s13 было, так в общем-то почти все равно что и не было.
безбуферные контроллеры от smi и phison не выглядят так здорово. да и у wd sn770 внутренний буфер в чипе есть, наверно, как у sn500/sn550 был, а sn770 — их наследник.
уныный — это по сравнению с нормальными быстрыми (даже с phison e12 с tlc), а так на бытовом уровне откуда к нему претензиям взяться, все же он быстрее чем s-ata при любых обстоятельствах (если терабайтник)
на али в магазинах reletech e18 уже где-то месяц как нет совсем, а цены на на старые e12/e16+qlc приподнялись. надеюсь, это phison e26 заготавливает.
а так да, 2TB e18 у меня на b47r (брал в июле), скорость прямой записи ~2.6 GBps, запись 80% объема за 10 минут, полный объем — за 14'17". второй проход (уже без slc buffering) чуть быстрее, 13'28", на средней скорости ~2.3GBps. и то сдается мне, что надо ему радиатор побольше — в датчике температура 75 почти все время на длинной записи. чтение всего объема — 6'7". если это «медленный», то я в растерянности...
( если надо — отчеты phison_nvme_flash_id2 могу скинуть)
странно это — сидеть с qvo или 980 не pro и гордиться надписью на этикетке. потому что в реальности у меня 980 pro немного, но стабильно уступает ssd на phison e18, даже если на них самый китайский шильдик (reletech). да и wd sn850 на практике оказывается много где быстрее.
990 pro наверно будет быстрее чем e18, только же его пока нет. а когда появится — тогда уже будут и phison e26, а те уж точно быстрее (R/W: 13/12 GBps против 7.5/7 у 990 pro)
теперь бывают и на qlc. читайте свежие обзоры внимательнее. а автор, поверьте, знает не один способ определить что внутри даже не разбирая ssd. причем один из них — совершенно точный, благодаря утилитам ***_flash_id авторства [b]vlo[/b], читающим прошитую в чипы флеша идентификацию.
да, я наверно неправильно выразился, не выравнивание износа, а внутренняя перезапись вообще. все же на одном месте без перезаписи данные достаточно долго лежать не могут — рано или поздно перестанут читаться по объективным физическим причинам.
750 evo на планарной tlc samsung — совсем не показатель. подобные в sony vaio нередко данные не держали даже при минимальной нагрузке. слава samsung в ssd и флеше началась с внедрения 3d tlc. где-то с 32 слоев, что означало что площадь ячейки (и толщина стенок) выросла больше чем в 10 раз.
это примерно как сейчас wd набирает репутацию со своими sn500/sn550, которые ухитряются при безбуферном контроллере и после заполнения удерживать производительность почти на первоначальном уровне. sn850 тоже способствует.
ну как лишних — раз в несколько месяцев. а WA огромный бывал в стародавние времена, [b]vlo[/b] помнит, больше сотни выходило.
мелькало про какой-то intel, что он вдруг после определенного уровня начал активно внутри данные перезаписывать, было похоже, что выравнивая износ.
вообще по прикидкам выравнивание износа заметно добавляло WA только тем ssd, на которые мало писалось, но на которых много хранилось.
тогда лучше взять hdd. на современных ssd долговременно хранить данные как-то стремно. раньше то ресурса было выше крыши и большинство ssd довольно активно обновляли данные, перезаписывая их внутри в рамках выравнивания износа. а сейчас ресурса у флеша меньше, стирания (необходимого перед записью) лишний раз не делают, причем это более явно проявляется у самых недорогих (не будем тыкать пальцем в A400) в виде того, что заметно снижается скорость чтения, гораздо больше, чем положено из-за обычной фрагментации флеша.
иначе говоря, флеш сам по себе так устроен, что из ячеек понемногу вытекает заряд. чем дешевле флеш, тем быстрее утекает. тем раньше становится сложно правильно разделять уровень заряда на биты, несмотря на всякие адаптивные алгоритмы, и коррекция занимает заметное время. на китайских ssd с али — вплоть до отказов чтения (то есть потери данных из отдельных страниц). а если эти отказы приходятся на транслятор, то теряется всё вплоть до прошивки (для S11 разработаны методики как восстанавливать после этого ssd, уже без данных конечно же, а для ssd на smi есть mp tool с заводскими прошивками, которые делают их будто новыми, можно даже свежие дефекты в заводские перевести).
hdd конечно тоже не идеален и бывает внезапно смертен, но чаще они сыпятся в щадящем режиме, теряя кое-что, но не все сразу, как чаще всего бывает у ssd. причем у ssd лежащего на полке вероятность оказаться пустым намного выше. даже стандарт не гарантирует больше года хранения данных на выключенном ssd и то при соблюдении определенного температурного режима.
вот тут в чипах на плате флеша всего 2TiB, то есть примерно 2147 GB, а не 1863 GB, как заявлено для пользователя.
часть этого флеша — дефекты (для нового ssd — заводские, обычно несколько процентов, ноля не бывает), часть — под хранение кода прошивки, загрузчиков и проч. служебки, часть уходит под транслятор LBA-адресов в физические адреса флеша (сколько именно — достоверно неизвестно, но до нескольких процентов).
в режиме последовательной (линейной) записи размер транслятора практически минимальный из возможных (фрагментации нет, все блоки с соседними lba адресами идут подряд), так что в итоге после достижения барьера SLC-буфера остаются свободными вот эти примерно 13 процентов под прямую запись без ухищрений — эта прошивка, похоже, не использует выделенное резервирование блоков флеша, а равномерно использует все доступные свободные.
к тому же заметно, что за это время прямой записи контроллер все таки немножко SLC-буфера успевает разгрести (скорость подпрыгивает, отдельные блоки снова пишутся в SLC-режиме), вероятно это добавляет 2-3% объема для относительно высокой скорости записи.
но вот если сравнить время, потребовавшееся на тест, 21'21" против 27'09" у s70, то оно сократилось на 20%! а значит и разница в скорости не 300 и 100.
если присмотреться, то прямая запись выросла на 500+MBps, а с параллельным разбросом slc-буфера — где-то на 200. незначительное увеличение скорости записи в slc-буфер (процентов на 5) эффекта на сокращение времени теста не оказало, а вот приличный рост скорости прямой записи, увеличение длины этого участка с ~7% до ~13% и рост скорости с разбросом slc-буфера — очень даже. 21 минута на запись 2TB — это, конечно, не 13-14 минут, которые демонстрировал китайский же Reletech P400 Evo 2TB на phison e18 (сейчас этой модели нет в продаже уже несколько месяцев, но вдруг вернется), но не так давно не каждый терабайтник в такое время укладывался.
про новый 2TB e18 ничего сказать не могу — он новый. обещается 1000 циклов p/e (флеш b47). что там на самом деле — будет понятно только через несколько лет
только вроде автор не обозревал ещё e21+b47r и 69xt+b47r, anand вообще давно ничего не тестил, а на thg не понять какой там флеш, а те e21 что там были — ну вообще не впечатлили. 69xt не помню, чтоб там видел.
но вообще да — устойчивый 1 GBps записи — это уже впечатляет для безбуферника. особенно если у терабайтника.
а так да, 2TB e18 у меня на b47r (брал в июле), скорость прямой записи ~2.6 GBps, запись 80% объема за 10 минут, полный объем — за 14'17". второй проход (уже без slc buffering) чуть быстрее, 13'28", на средней скорости ~2.3GBps. и то сдается мне, что надо ему радиатор побольше — в датчике температура 75 почти все время на длинной записи. чтение всего объема — 6'7". если это «медленный», то я в растерянности...
( если надо — отчеты phison_nvme_flash_id2 могу скинуть)
990 pro наверно будет быстрее чем e18, только же его пока нет. а когда появится — тогда уже будут и phison e26, а те уж точно быстрее (R/W: 13/12 GBps против 7.5/7 у 990 pro)
про анаэробные бактерии, например, приводящие к ботулизму, видимо, автор не слышал.
это примерно как сейчас wd набирает репутацию со своими sn500/sn550, которые ухитряются при безбуферном контроллере и после заполнения удерживать производительность почти на первоначальном уровне. sn850 тоже способствует.
мелькало про какой-то intel, что он вдруг после определенного уровня начал активно внутри данные перезаписывать, было похоже, что выравнивая износ.
вообще по прикидкам выравнивание износа заметно добавляло WA только тем ssd, на которые мало писалось, но на которых много хранилось.
иначе говоря, флеш сам по себе так устроен, что из ячеек понемногу вытекает заряд. чем дешевле флеш, тем быстрее утекает. тем раньше становится сложно правильно разделять уровень заряда на биты, несмотря на всякие адаптивные алгоритмы, и коррекция занимает заметное время. на китайских ssd с али — вплоть до отказов чтения (то есть потери данных из отдельных страниц). а если эти отказы приходятся на транслятор, то теряется всё вплоть до прошивки (для S11 разработаны методики как восстанавливать после этого ssd, уже без данных конечно же, а для ssd на smi есть mp tool с заводскими прошивками, которые делают их будто новыми, можно даже свежие дефекты в заводские перевести).
hdd конечно тоже не идеален и бывает внезапно смертен, но чаще они сыпятся в щадящем режиме, теряя кое-что, но не все сразу, как чаще всего бывает у ssd. причем у ssd лежащего на полке вероятность оказаться пустым намного выше. даже стандарт не гарантирует больше года хранения данных на выключенном ssd и то при соблюдении определенного температурного режима.