Таки навряд ли.
Хотя лично я бы принял закон, по которому на каждый баннер этих просителей должна выводиться статистика — сколько денег использовано по назначению, а сколько ушло на «представительские и организационные расходы» и зарплаты руководителей.
>мобильное приложение благотворительного фонда «Подари Жизнь»
Теперь эти ребята будут не только свои баннеры на страницы пихать, но еще и в телефоне обретаться? Может, сразу им позволить бабло со своей карты списывать?
Плохо искали. «Падение напряжения на pn-переходе в прямом направлении» (иногда еще говорят «при прямом смещении») — вполне себе ключевая характеристика для полупроводниковой структуры. И зависит она от материала, из которого структура изготовлена (как раз тот самый полупроводник).
Величина эта составляет *примерно* чуть больше ширины запрещенной зоны (но с нюансами).
Поэтому принцип «чем шире запрещенная зона, тем больше падение напряжения на переходе» — обычно всегда соблюдается.
А теперь погуглите «падение напряжения на кремниевом pn-переходе» — найдете цифру порядка 0.7В. Потом погуглите для GaAs и GaN — найдете цифры порядка 1.1-1.5В.
Все A3B5 — имеют достаточно схожие свойства. Как минимум, у соединений галлия (хотя и для индия там всё похоже).
Для GaAs я значение помнил, для GaN — нет, поэтому его и привел. Сейчас специально погуглил — для GaN падение напряжения в прямом направлении практически такое же, как и для GaAs — около 1.5В. Так что аргумент ровно тот же.
Как я и написал выше — *современные* методы литографии для А3В5 не подходят. Иначе бы уже и Интель, и АМД клепали бы на них процессоры с частотой под 10-20ГГц:)
То, что лепят на А3В5 — это очень простенькие схемки (усилители, инверторы и т.д.) Если пишется, что там есть «интегрированный процессор» — то речь идет обычно о гибридной схеме (эпитаксиальный слой GaN для силовой части, остальное в кремнии).
SiC — посмотрите не столько на объемы, сколько на ценник. Это действительно почти штучное производство.
Могу ответить максимально обще (ровно настолько, насколько помню из институтского курса:))
A3B5 (это собственно арсенид и нитрид галлия, фосфид индия и что-то там еще) — имеют очень высокий частотный потенциал, в первую очередь благодаря высокой подвижности носителей заряда. SiC (карбид кремния) — про него еще в мои институтские годы шутили, что он «с семидесятых годов материал будущего, и до сих пор материал будущего» — у него очень высокие макс. рабочие температуры, соответственно — и рассеивать на себе он может слоновьи дозы тепла.
Проблемы и с теми, и с другими — чисто технологические. На A3B5 невозможно современными методами литографии сделать нормальный интегральный чип (в основном, только дискретные элементы), а SiC — вообще почти кустарное производство, там даже выращивание пластин до сих пор что-то с дюйм диаметром (может, сейчас уже подвижки есть, но вряд ли большие) и куча брака.
зы: в качестве пруфа — гуглим «падение напряжения на p-n-переходе для GaAs», дальше тычемся в любую ссылку и уже в тексте ищем «падение напряжения».
Например:
https://studfile.net/preview/2261919/
«У арсенид галлиевого GaAs диода велико падение напряжения в прямом включении (до 1 В), но они выдерживают температуру до 2700 С, то есть обладают большой мощностью рассеяния. Кремниевые Si диоды занимают промежуточное положение. Падение напряжения в прямом включении на кремниевых диодах около 0,7 В и они могут работать до 130 0 С.»
Падение напряжения на pn-переходе для GaAs больше, чем для кремния, так что чисто по закону Ома, при равном токе, тепловыделения (т.е. теплопотери) БОЛЬШЕ.
Вроде бы буквально в последние годы тужатся создать pin-диоды на AlGaAs с почти нулевым падением напряжения, но я не слышал, чтобы это пошло в серию.
Но мои знания, возможно, устарели. Я институт профильный заканчивал ооооочень давно:)
Не совсем так. Там скорее дело в других преимуществах — бОльшая удельная плотность тока (т. е. больший ток при том же сечении кристалла) и более высокие макс. температуры.Так что, скорее всего, греться такие блоки будут адски (поскольку КПД будет, скорее всего, тот же, что и для кремниевых ЗУ, а мощность зарядки выше — соотв. и тепловыделение в небольшом объеме будет нехилое).
Лезвия сейчас у всех одинаково паршивы, потому что производятся на одном и том же китайском заводе. Тупятся за месяц-два.
Хотя, конечно. возможно это от жесткости щетины зависит.
Скоро китайцы со своим вирусом ещё и в резиновых перчатках ходить будут, и дактилоскопия тоже станет бесполезной.
Но они быстро изобретут перчатки с отпечатками, вытравленными в латексе.
Пропаганда защищенного секса.
А это намного проще, чем в 3D.
Хотя лично я бы принял закон, по которому на каждый баннер этих просителей должна выводиться статистика — сколько денег использовано по назначению, а сколько ушло на «представительские и организационные расходы» и зарплаты руководителей.
Теперь эти ребята будут не только свои баннеры на страницы пихать, но еще и в телефоне обретаться? Может, сразу им позволить бабло со своей карты списывать?
Величина эта составляет *примерно* чуть больше ширины запрещенной зоны (но с нюансами).
Поэтому принцип «чем шире запрещенная зона, тем больше падение напряжения на переходе» — обычно всегда соблюдается.
А теперь погуглите «падение напряжения на кремниевом pn-переходе» — найдете цифру порядка 0.7В. Потом погуглите для GaAs и GaN — найдете цифры порядка 1.1-1.5В.
Для GaAs я значение помнил, для GaN — нет, поэтому его и привел. Сейчас специально погуглил — для GaN падение напряжения в прямом направлении практически такое же, как и для GaAs — около 1.5В. Так что аргумент ровно тот же.
То, что лепят на А3В5 — это очень простенькие схемки (усилители, инверторы и т.д.) Если пишется, что там есть «интегрированный процессор» — то речь идет обычно о гибридной схеме (эпитаксиальный слой GaN для силовой части, остальное в кремнии).
SiC — посмотрите не столько на объемы, сколько на ценник. Это действительно почти штучное производство.
A3B5 (это собственно арсенид и нитрид галлия, фосфид индия и что-то там еще) — имеют очень высокий частотный потенциал, в первую очередь благодаря высокой подвижности носителей заряда. SiC (карбид кремния) — про него еще в мои институтские годы шутили, что он «с семидесятых годов материал будущего, и до сих пор материал будущего» — у него очень высокие макс. рабочие температуры, соответственно — и рассеивать на себе он может слоновьи дозы тепла.
Проблемы и с теми, и с другими — чисто технологические. На A3B5 невозможно современными методами литографии сделать нормальный интегральный чип (в основном, только дискретные элементы), а SiC — вообще почти кустарное производство, там даже выращивание пластин до сих пор что-то с дюйм диаметром (может, сейчас уже подвижки есть, но вряд ли большие) и куча брака.
Например:
https://studfile.net/preview/2261919/
«У арсенид галлиевого GaAs диода велико падение напряжения в прямом включении (до 1 В), но они выдерживают температуру до 2700 С, то есть обладают большой мощностью рассеяния. Кремниевые Si диоды занимают промежуточное положение. Падение напряжения в прямом включении на кремниевых диодах около 0,7 В и они могут работать до 130 0 С.»
Вроде бы буквально в последние годы тужатся создать pin-диоды на AlGaAs с почти нулевым падением напряжения, но я не слышал, чтобы это пошло в серию.
Но мои знания, возможно, устарели. Я институт профильный заканчивал ооооочень давно:)
Хотя, конечно. возможно это от жесткости щетины зависит.
Да это же Гитлерофон!!!
Но они быстро изобретут перчатки с отпечатками, вытравленными в латексе.