Обзор карты памяти Silicon Power Inspire объемом 256 ГБ

Карта памяти Silicon Power Inspire заявляется производителем как решение с высокой скоростью обмена данными, достигающей 170 МБ/с при чтении и 150 МБ/с при записи. Накопитель обладает классификацией UHS-I U3 и V30, что обеспечивает минимальную скорость записи видеопотока на уровне 30 МБ/с. Кроме того, поддержка стандарта A2 делает его оптимальным для установки приложений на смартфонах.

Важнейшей же характеристикой, обнаруженной на этапе подготовки к обзору, стало использование скоростного протокола DDR200. Для полного раскрытия его возможностей необходимо специализированное оборудование.

Ключевые технические параметры

Производитель заявляет для модели Inspire скоростные показатели до 170 МБ/с в режиме чтения и до 150 МБ/с в режиме записи. Карта памяти соответствует спецификациям UHS-I U3 и классу V30, что гарантирует скорость записи видео не ниже 30 МБ/с. Наличие класса A2 говорит об оптимизации для использования в мобильных устройствах в качестве хранилища для приложений. Для тех, кому важна дополнительная надежность, накопитель имеет защиту от влаги, механических повреждений и рентгеновских лучей.

Упаковка и содержимое комплекта

Карта памяти поставляется в стандартном для такого типа устройств блистере. Дизайн упаковки выполнен в яркой черно-желтой цветовой гамме, привлекающей внимание. На лицевой стороне перечислены основные скоростные характеристики и классы, которым соответствует продукт.

Внутри упаковки, помимо самой карты microSD, находится полезный аксессуар — адаптер для формата SD. Это значительно расширяет сферу применения накопителя, позволяя использовать его не только в устройствах с разъемом microSD, но и в оборудовании, рассчитанном на полноразмерные SD-карты. Такое дополнение к комплекту является приятным и практичным бонусом.

Дизайн и конструктивные особенности

Внешний вид Silicon Power Inspire повторяет цветовую схему упаковки: верхняя часть карты окрашена в черный цвет, а нижняя — в желтый. На лицевой стороне размещены логотип компании (SP), название модели, информация об объеме и скоростных классах. Примечательной деталью является указание типа используемой памяти — TLC, что встречается не так часто.

Обратная сторона карты имеет стандартное исполнение: восемь позолоченных контактов и буквенно-цифровая маркировка, предположительно являющаяся серийным номером.

Нюансы тестирования и протокол DDR200

Перед тем как перейти непосредственно к результатам тестов, стоит сделать небольшое отступление и прояснить некоторые технические моменты.

Изначально для проверки скоростных показателей планировалось использовать кардридер Transcend RDF9, который поддерживает как стандарт UHS-I (до 104 МБ/с), так и более производительный UHS-II (до 312 МБ/с). Карты UHS-II легко отличить по наличию дополнительного ряда контактов. Однако при первом же запуске теста CrystalDiskMark скорость не превысила 90 МБ/с. Смена USB-портов и переустановка карты в кардридере не принесли результата.

Причина такого поведения кроется в особенностях спецификации Silicon Power Inspire. Производитель указывает, что для достижения максимальной скорости чтения в 170 МБ/с необходимо устройство с поддержкой протокола DDR200. Данная карта относится к классу UHS-I, что подтверждается отсутствием второго ряда контактов. Возникает вопрос: каким образом достигается скорость, превышающая стандартный для UHS-I лимит в 104 МБ/с (режим SDR104)?

Ответ заключается в существовании нестандартного расширения протокола UHS-I, именуемого DDR200, которое и позволяет достигать скоростей до 170 МБ/с. Проблема в том, что далеко не все производители кардридеров заявляют о поддержке этого протокола, ограничиваясь общими обозначениями UHS-I и UHS-II. При этом в рамках одного только UHS-I существует несколько режимов (SDR104, SDR50, DDR50). Интересно, что сам стандарт DDR200 не является широко известным даже в рамках SD Card Association.

Из этого следует важный вывод: для полноценной работы с картами microSD UHS-I, заявленная скорость которых превышает 104 МБ/с, требуется кардридер, поддерживающий DDR200. Их выбор на рынке ограничен, а идентификация затруднена. Многие пользователи, сталкиваясь с более низкой скоростью, ошибочно винят в этом карту памяти, не подозревая об ограничениях своего кардридера. Для проведения корректного тестирования был приобретен совместимый кардридер — Lexar RW310.

Процесс тестирования

Для получения объективных результатов все тесты Silicon Power Inspire проводились с использованием кардридера Lexar RW310, который поддерживает протокол DDR200 и не является «бутылочным горлышком» для данной карты памяти.

Накопитель отформатирован в файловую систему exFAT, а доступный пользователю объем составляет 231 ГБ.

Результаты синтетических бенчмарков демонстрируют, что в идеальных условиях карта стабильно показывает скорости, максимально приближенные к заявленным производителем, как в операциях чтения, так и в операциях записи.

Тест AIDA64 Disk Benchmark, заключающийся в непрерывной записи всего объема, был завершен за 78 минут и 5 секунд (4685 секунд). График записи на всем протяжении оставался практически прямой линией, а средняя скорость составила около 150 МБ/с.

Заключение

По итогам проведенного тестирования с применением совместимого кардридера Lexar RW310 можно с уверенностью сказать, что карта памяти Silicon Power Inspire полностью соответствует заявленным характеристикам.

Как синтетические тесты, так и практический тест непрерывной записи подтверждают стабильную работу на высокой скорости, достигающей примерно 150 МБ/с при записи данных. Таким образом, для раскрытия всего потенциала данного накопителя критически важно использовать оборудование с поддержкой протокола DDR200. Этот нюанс необходимо учитывать пользователям, которые хотят получить максимальную производительность от своих карт памяти.