Компания Samsung Electronics сообщила о том, что динамическая память DDR2 плотностью 1 Гбит с произвольным доступом, выпускаемая по нормам «50-нм класса» (как утверждается, это наиболее передовая память типа DRAM в отрасли), получила сертификацию Intel, подтверждающую возможность совместного использования этой памяти с наборами системной логики Intel текущего и следующего поколения. В частности, речь идет о поддержке скоростей передачи данных до 800 Мбит/с.
Упомянутая память была создана специалистами Samsung осенью прошлого года. Как утверждается, с тех пор ни одна другая компания не освоила выпуск DDR2 DRAM плотностью 1 Гбит по нормам 50 нм.
По оценке компании, чипы DDR2 DRAM плотностью 1 Гбит, выпускаемые по 50-нм нормам вдвое превосходят по производительности аналогичные чипы, выпускаемые по нормам 80 нм, а эффективность производства этих изделий на 50% выше, чем показатель 60-нм техпроцесса.
Производители памяти ожидают увеличения спроса на свою продукцию вследствие распространения ПК под управлением Windows Vista, особенно, на рынке корпоративных систем. Одним из результатов увеличения типового объема оперативной памяти должна стать миграция с компонентов плотностью 512 Мбит на компоненты плотностью 1 Гбит в массовом сегменте, при одновременном переходе от DDR2 к DDR3, который станет заметным уже в конце текущего года.
Источник: Samsung