Корпорация NEC сообщила об очередном достижении в области микроэлектроники, выпустив CMOSFET (полевой транзистор, выполненный по технологии КМОП), в котором создана новая структура затвора на основе содержащего гафний high-k (с высокой диэлектрической проницаемостью) изолятора. Новая структура затвора полевого транзистора, по утверждениям компании, позволяет достичь более высокой скорости переключения при малом токе утечки.
Сообщается также, что новая структура затвора, выполненная в стандартном КМОП-процессе, является стабильной и позволяет обеспечить работоспособность в течение периода времени не менее 10 лет при рабочей температуре до 85 градусов Цельсия.
Стабильность структуры достигается методом формирования нитрида кремния с контролем фазы (phase controlled Ni-FUSI) и позволяет создавать транзисторы по 45-нм нормам. Особенно подчеркивается, что новая технология транзисторов должна будет позволить выпускать быстрые, и в то же время, экономичные процессоры.