Главная » Новости » 2004 » 12 » 15 15 декабря 2004

IEDM: OxRRAM и d-finFET – новые технологии Samsung

Еще одно интересное сообщение с проходящей в эти дни конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) – Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения.

OxRRAM является развитием технологий резистивной памяти. Расшифровывается эта аббревиатура как Oxide Resistive Random Access Memory. Утверждается, что размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА.

Кроме того, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.

Источник: PC Watch

11:59 15.12.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.