По следам IEDM: о своем видении Toshiba технологий «напряженного» кремния

ПредыдущаяСледующая
1174

Несмотря на то, что конференция IEDM (International Electron Device Meeting) закончилась в Вашингтоне на прошлой неделе, по-прежнему продолжает поступать немало сообщений о различных разработках, представленных в ее ходе. Многие эти сообщения перекликаются с последними новостями, касающимися рыночных перспектив процессоров конкурирующих фирм, к примеру, Intel и AMD, ведь их продукты уже давно оцениваются не только по таким характеристикам, как количество производимых операций за такт, тактовой частоте, объему кэш-памяти, но и по энергопотреблению, размерам кристалла, возможностях масштабирования и другим параметрам, определяющимся технологическими особенностями изготовления. AMD и Intel были одними из первых, кто начал во всеуслышание говорить о технологиях «напряженного» кремния (strained silicon), позволяющих достичь лучших результатов, по крупицам выбрасывая информацию в СМИ.

Поэтому-то Toshiba, которой тоже есть чем поделиться, поспешила высказать свои соображения по поводу напряженного кремния по горячим следам прошедшей IEDM. В частности, Toshiba опубликовала данные о результатах тестирования PMOSFET-транзисторов и особенности технологии создания «напряженного» кремния. По данным Toshiba, прирост тока возбуждения в PMOSFET на «напряженном» кремнии убывает пропорционально уменьшению длины стока, для чего пришлось придумывать хитрую технологию изготовления транзисторов, чтобы продолжать получать пользу от напряженного кремния при уменьшении размеров.

Речь идет о том, чтобы максимизировать прирост тока возбуждения в NMOSFET и PMOSFET транзисторах, для того, чтобы работоспособность КМОП-устройств (CMOS, complimentary metal-oxide-silicon) оставалась на высоком уровне при малом размере. Для исследования свойств были изготовлены CMOSFET-транзисторы с длиной затвора около 40 нм на основе кремний-германиевой технологии (SiGe) в процессе с нормами 65 нм. Было также изготовлено устройство на основе обычного, не напряженного кремния. По экспериментальным данным, подвижность носителей положительного разряда в напряженном кремнии повысилась на 33%, электронов – на 107%. Однако при уменьшении длины стока и истока эта разница уменьшалась и достигала примерно 10% при 2 мкм, а при 240 нм в подвижности носителей между напряженным и обычным полупроводником уже совсем не наблюдалось никакой разницы. Этот эффект исследователи объяснили тем, что упругое напряжение, созданное в полупроводнике внешней структурой и которой он обязан своим названием (напряженный кремний) компенсируется напряжением, созданным изоляторами STI (shallow trench isolations), чье влияние становится значимым при уменьшении длины истока и стока.

Поэтому Toshiba была вынуждена немного модифицировать структуру своего напряженного кремния и (сокрыв точные детали модификаций в тайне) сообщает о достижении тока 380 мкА/мкм (19% улучшение подвижности носителей по сравнению с обычной технологией) для 2 мкм каналов и 390 мкА/мкм (11% улучшение подвижности носителей по сравнению с обычной технологией) для 240-нм каналов. В Toshiba надеются, что подобный подход поможет улучшить характеристики и следующего поколения полупроводниковых чипов, выпускаемых с соблюдением 45-нм норм.

18 декабря 2003 Г.

09:04

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

В базе данных ЕЭК замечены камеры Canon EOS 2000D, 3000D, 4000D и M50: Выпуск камер Canon EOS 2000D, 3000D, 4000D и M50 можно ожидать в начале будущего года

Смартфоны Google Pixel научились более точно прогнозировать время работы без подзарядки: Прогноз по времени работы вы найдете в соответствующем разделе настроек смартфона3

Цена грузовика Tesla Semi приятно удивила специалистов: В продажу Tesla Semi поступит в 2019 году36

Назван срок «ожидаемой доступности» объектива Sony FE 400mm F2.8 GM OSS: К сожалению, цена новинки пока остается неизвестной4

Обновление BIOS для системных плат ASUS подтвердило скорый выход процессоров Raven Ridge и Pinnacle Ridge: Выход этих процессоров ожидается не позднее февраля 2018 года

Агроэлектризация: в Германии представлен электрический трактор Fendt e100 Vario: Массовое производство Fendt e100 Vario начнется только через год45

Samsung Electronics создаст центр разработки искусственного интеллекта: Где будет расположен новый исследовательский центр — пока неизвестно10

Беззеркальная камера Leica CL оснащена электронным видоискателем и поддерживает запись видео 4K: Leica CL на родине оценена в 2500 евро8

В Бразилии цена iPhone X начинается с отметки $2170: Столь высокая цена в Бразилии, в частности, объясняется 60-процентным налогом на импортированные товары стоимостью до $3000 19

Экран смартфона Samsung Galaxy S9 будет занимать 90% лицевой панели: Автор слуха утверждает, что нижняя рамка дисплея смартфона практически полностью исчезнет55

Цены на оперативную память увеличатся на 10-15% в текущем квартале: Компании Nanya Technology и Winbond Electronics благодаря росту цен на оперативную памяти смогли попасть в пятерку лучших поставщиков DRAM7

Consumer Report поставила максимальные 100 баллов кухонным плитам Samsung: Обозреватели, в частности, выделили светодиодную систему виртуального пламени, которая имитирует горение газовой конфорки41

Работа камеры OnePlus 5T будет улучшена при помощи обновления ПО: К сожалению, сроки выпуска обновления пока не сообщаются3

Бюджетный смартфон Uhans i8 получил систему распознавания лиц пользователей: Цена Uhans I8 составляет 130 долларов

Экшн-камера MGCool Explorer 3 будет поддерживать запись видео разрешением 4К при 30 к/с: При помощи специального чехла камера сможет выдерживать погружения на глубину до 30 м2

Eluga C — первый «полноэкранный» смартфон Panasonic: Над дисплеем находится только вырез громкоговорителя, а фронтальная камера переместилась на нижнюю панель6

Смартфон 360 N6 Pro может получить второй экран и два дактилоскопических датчика: Анонс новинки состоится 28 ноября4

Производитель называет Vernee Active лучшим защищенным смартфоном на рынке: Vernee Active оснащен аккумулятором емкостью 4200 мА•ч, разъемом USB-С, модулем NFC, поддерживается 18-ваттная быстрая зарядка5

997
1318

iXBT TV

  • Обзор проекционного документ-сканера Doko BS16

  • Обзор материнской платы Z370 Aorus Gaming 7 под процессоры Coffee Lake

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

1212

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать