Hynix

Hynix уменьшила энергопотребление микросхем памяти DDR3 на 30%
О начале выпуска микросхем памяти DDR3 плотностью 1 Гбит второго поколения объявила компания Hynix Semiconductor. Новая память изготавливается по 54-нанометровой технологии. Новые микросхемы рассчитаны на стандартное напряжение питания 1,5 В. Вместе

Hynix представила микросхемы памяти плотностью 4 Гбит, предназначенные для MID
Компания Hynix Semiconductor объявила о выпуске микросхем памяти типа DDR SDRAM плотностью 4 Гбит, предназначенных для мобильных устройств. Новинки поддерживают платформу Intel Moorestown, которая является основой для мобильных устройств с Интернет-подклю
Hynix создает СП с китайцами для производства памяти
Корейский производитель памяти, Hynix, собирается создать с китайской компанией Wuxi Industrial Development совместное производство (СП). Последняя, за участие в СП, выплатит сумму равную $305 млн. По условиям сделки между компаниями, китайцы оплатя
Numonyx, Hynix и Phison совместно разработают контроллеры eMMC
Компании Hynix Semiconductor, Numonyx B.V. и Phison Electronics объявили о подписании соглашения о сотрудничестве. Оно предусматривает совместную разработку контроллеров для решений нового поколения на базе флэш-памяти типа NAND, соответствующих недавно п

У Hynix готова первая в мире 54-нанометровая мобильная память DDR2 плотностью 1 Гбит
В конце прошлого года компания Hynix объявила о выпуске первых в мире чипов памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит, изготовленных по нормам 54 нм. Продолжая разрабатывать динамическую память с произвольным доступом для мобильных устройств, специалисты Hyn

Hynix начнет выпуск DDR3 плотностью 1 Гбит по нормам 40 нм в третьем квартале
Компания Hynix Semiconductor сообщила о разработке микросхем памяти DRAM DDR3 плотностью 1 Гбит, рассчитанных на производство по нормам 40 нм. Максимальная скорость обмена данными, обеспечиваемая новыми микросхемами, равна 2133 Мбит/с. Микросхемы работо

4-ГБ модули DDR3-памяти Hynix позволят «проапгрейдить» MacBook Pro
Снижение объемов выпуска DRAM-продукции на 20% в конце прошлого года и передача NAND-бизнеса компании ProMOS не помешали, а возможно, и помогли Hynix подумать о развитии модельного ряда и выпустить новый продукт. Источник сообщает о поя
Hynix отдает NAND-бизнес компании ProMOS
Hynix Semiconductor, как сообщает источник, намерена передать свои технологии и наработки в области производства флэш-памяти типа NAND компании ProMOS Technologies. Этот шаг корейской компании направлен на то, чтобы совместно с еще двумя ее партн
До конца года Hynix сократит выпуск DRAM на 20-30%
Reuters сообщает, что компания Hynix Semiconductor, занимающая второе место в мировой табели о рангах производителей чипов памяти, обнародовала планы сокращения объемов производства. В конце декабря выпуск памяти будет уменьшен на 20-30%. Представитель H
200812031_152.jpg)
Hynix выпустила первые в мире 54-нм чипы памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит
Hynix выпустила первые в мире 54-нм чипы памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит
20081203.jpg)
Hynix выпустила первые в мире 54-нм чипы памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит
Hynix Semiconductor сообщила о том, что ею разработана и выпущена прогрессивная память — 2-Гбит микросхемы Mobile DRAM, которые производятся по нормам 54 нм. Такая плотность вдвое превышает представленные на рынке 1-Гбит решения среди проду
TSMC будет делать процессоры, а Hynix — память для новых 3D-карт AMD и NVIDIA
О готовности начать выпуск логических микросхем по нормам 40 нм компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) объявила весной текущего года, а недавно компания отрапортовала о переводе на нормы 40 нм массового производства. Известно, что крупными

1-Гбит память Hynix стандарта GDDR5 становится на 40% быстрее
Компанией Hynix Semiconductor заявлено о разработке новой, самой быстрой на сегодня, памяти для видеокарт. Новые чипы памяти удовлетворяют стандарту GDDR5 (а также требованиям JEDEC) и имеют плотность хранения данных 1 Гбит. Производство новой

Hynix Introduces 7Gbps 1Gb GDDR5 Graphics DRAM
Hynix Semiconductor introduced the industry's first and fastest 1 Gigabit GDDR5 Graphics DRAM. The newly introduced chips are built on the company's 54nm process technology. It operates at 7Gbps, 40% faster compared to 5Gbps GDDR5, and processes up to
_2_en.jpg)
Hynix показала первые в мире 16-ГБ модули R-DIMM, в которых используется технология MetaRAM
Подтверждая на практике работоспособность технологии MetaSDRAM DDR3, предложенной компанией MetaRAM, компания Hynix Semiconductor продемонстрировала продукты, в которых используется эта технология. В том числе, речь идет о первых в мире 16-ГБ двухранговых
Hynix Demonstrates World's First 16 GB 2-Rank DIMMs
Hynix Semiconductor announced that it is using MetaRAM's new DDR3 technology in its next generation R-DIMMs, including the world's first 16GB 2-rank DIMM (HMT32GR7AER4C-GD), which is demonstrating at the Intel Developer Forum (IDF) in San Francisco (Augus
Numonyx и Hynix будут совместно работать над освоением новых технологий для производства флэш-памяти
Hynix Semiconductor и Numonyx B.V. сегодня сообщили о том, что ими подписано долгосрочное соглашение о совместной разработке продукции на базе флэш-памяти для быстрорастущего рынка устройств на базе флэш-памяти NAND. По замыслу компаний Hynix и Numon
Флэш-память Hynix уменьшилась в размерах на 30%
Компания Hynix Semiconductor, второй по величине производитель флэш-памяти в мире, как сообщает источник, разработала новые чипы памяти NAND, характерной особенностью которых является уменьшенный относительно аналогов и предыдущих разработок разме
Hynix и Micron от выпуска чипов переходят к выпуску карточек памяти
Производители флэш-памяти типа NAND переходят от выпуска чипов к выпуску готовых продуктов, карточек памяти. Если верить отраслевым источникам, такой шаг решили сделать компании Hynix Semiconductor и Micron Technology. Компания Hynix уже начала поставки к
Hynix приступает к массовому выпуску 54-нм памяти DRAM
Как мы недавно уже сообщали, компания Hynix Semiconductor, которая является вторым по величине производителем чипов памяти для компьютерной отрасли, планирует сократить технологическое отставание от своего конкурента, Samsung Electronics. В начал
20080406.jpg)
Hynix разработала «самую быструю 1-Гбит память LPDDR2»
Hynix Semiconductor представила новую память для мобильных устройств. Утверждается, что 1-Гбит память LPDDR2 является самой быстрой на сегодня и удовлетворяет требованиям стандартом JEDEC. Память 1Gb LPDDR, Low Power DDR2 производится с применением 66-нм
Hynix испытывает проблемы с 66-нм производством DRAM-продукции?
Hynix, которая напомним, только недавно говорила о готовности перехода к более тонким нормам техпроизводства (переход на 54-нм нормы до конца года), как сообщает источник, испытывает проблемы с выпуском 66-нм чипов DRAM-памяти. В результате на производств
Hynix начнет производить 54-нм DRAM-продукцию еще до конца года
Компания Hynix Semiconductor, которая является вторым по величине производителем чипов памяти для компьютерной отрасли, по данным источника, планирует сократить технологическое отставание от своего конкурента, Samsung Electronics. Сообщается, что в планах
Rambus надеется запретить Hynix делать чипы памяти
По информации источника, компания Rambus рассчитывает, что суд предпишет Hynix Semiconductor прекратить выпуск чипов памяти, в которых используются запатентованные разработки Rambus. Шаги Rambus в этом направлении последовали за решением федерального суда

Hynix Introduces 2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
Hynix Semiconductor announced today the launch of 2-Rank 8GB PC2-4200 RDIMM, featuring MetaRAM's MetaSDRAM technology. The HYMP31GP72CUP4-C6 effectively doubles the memory capacity of AMD Opteron-based and Intel Xeon-based systems, while lowering power co

Hynix выпускает двухранговые модули памяти DDR2 RDIMM объемом 8 ГБ
Южнокорейская Hynix Semiconductor анонсировала выпуск модулей памяти 2-Rank 8GB PC2-4200 RDIMM, в которых используется технология MetaSDRAM компании MetaRAM. Модули HYMP31GP72CUP4-C6 позволяют удвоить объем памяти систем на базе AMD Opteron и Intel Xeon.
Hynix и SiliconFile вместе займутся выпуском датчиков изображения по технологии CMOS
Компания Hynix Semiconductor подписала соглашение о сотрудничестве с компанией SiliconFile Technologies. Предмет соглашения — совместное производство датчиков изображения по технологии CMOS (CMOS Image Sensor, CIS). В рамках сотрудничества, Hynix сможет и

Память DDR2 плотностью 1 Гбит, произведенная Hynix по нормам «50-нм класса», прошла тесты Intel
Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее компоненты памяти DDR2 плотностью 1 Гбит, выпущенные по нормам «50-нм класса», прошли верификацию Intel. Переход от техпроцесса 60-нм класса к техпроцессу 50-нм класса, по словам Hynix, позволяет сущест

Hynix Introduces Industry's First 1Gb GDDR5 DRAM
Hynix Semiconductor today introduced the industry's first 1 Gigabit GDDR5 Graphics DRAM. The industry's first 1Gb GDDR5 from Hynix is claimed to be the fastest and highest density graphics memory available. It operates at 5Gbps bandwidth and processes up

Hynix выпускает первую в отрасли память GDDR5 плотностью 1 Гбит
Компания Hynix Semiconductor сегодня представила первые в отрасли микросхемы памяти GDDR5 плотностью 1 Гбит. Память GDDR (Graphics Double Data Rate) является быстродействующей оперативной памятью с произвольным доступом, предназначенной для графических