В конце прошлого года компания Hynix объявила о выпуске первых в мире чипов памяти Mobile DRAM плотностью 2 Гбит, изготовленных по нормам 54 нм.
Продолжая разрабатывать динамическую память с произвольным доступом для мобильных устройств, специалисты Hynix Semiconductor создали первые в мире чипы DDR2 DRAM плотностью 1 Гбит, рассчитанные на производство по тем же нормам. Серийный выпуск указанной памяти компания планирует начать во второй половине года.
Максимальная частота, на которой может работать новая память, равна 1066 МГц. При условии использования 32-разрядной шины ее пропускная способность составляет 4,26 ГБ/с в одноканальной конфигурации и 8,52 ГБ/с — в двухканальной.
По оценке Hynix, новые чипы потребляют вдвое меньше электроэнергии, чем мобильная память предыдущего поколения (DDR) и на 30% меньше, чем обычная память DDR2 DRAM.
Областью применения Hynix Mobile DRAM названы мобильные устройства с Интернет-подключением (Mobile Internet Device, MID), нетбуки и смартфоны верхнего ценового диапазона.
Источник: Hynix Semiconductor