Hynix представила микросхемы памяти плотностью 4 Гбит, предназначенные для MID

ПредыдущаяСледующая

Компания Hynix Semiconductor объявила о выпуске микросхем памяти типа DDR SDRAM плотностью 4 Гбит, предназначенных для мобильных устройств. Новинки поддерживают платформу Intel Moorestown, которая является основой для мобильных устройств с Интернет-подключением (MID). Серийный выпуск должен начаться в текущем квартале.

Память способна работать на скоростях до 400 Мбит/с, что соответствует пропускной способности 1,6 ГБ/с в случае применения 32-разрядной шины. Она соответствует требованиям стандартов JEDEC. Предполагается, что новая память найдет применение в приложениях нового поколения: MID, нетбуках и смартфонах, которым необходима быстрая память большого объема с малым энергопотреблением.

Микросхемы Hynix плотностью 4 Гбит будут выпускаться как в виде изделий, объединяющих несколько кристаллов в одном корпусе (MCP), так и в корпусах типа package-on-package (POP).

Источник: Hynix

10 августа 2009 Г.

19:39

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31