Магнитоэлектрические транзисторы станут новым словом в электронике

В США группа ученых из университета Буффало и Небраски в Линкольне предложила новый принцип построения транзистора. Концепция основана на атомарном слое графена на подложке оксида хрома с нужными магнитными свойствами.  Меняя полярность управляющего напряжения, обеспечивается прямая или обратная проводимость устройства. Такой транзистор будет компактнее и экономичнее классических решений, и позволит сохранить до 5% энергопотребления.

Новый концепт транзистора работает без переключения токов, таким образом он может сохранять установленное состояние даже после снятия питающего напряжения. Это позволит применять магнитоэлектрические транзисторы в ячейках памяти для ПК. Да и применение новинки с переключаемой проводимостью может существенно сократить количество транзисторов в схемотехнике. 

Пока описание и опытная проверка новой технологии транзисторов выложена в журнале «Advanced Materials», планируется их применение в цифровой электронике.

Источник: UNIVERSITY of NEBRASKA–LINCOLN