SK Hynix представила накопитель UFS 4.1 с 321-слойной памятью NAND для смартфонов с ИИ

Компания SK Hynix анонсировала новое поколение флэш-памяти UFS 4.1, сообщает FoneArena. Решение включает первую в мире 321-слойную 4D NAND-память плотностью 1 Тбит (TLC), предназначенную для мобильных устройств с поддержкой искусственного интеллекта.

Накопитель демонстрирует улучшенную энергоэффективность: потребление энергии снижено на 7% по сравнению с предыдущим поколением на 238 слоях. Толщина чипа уменьшена до 0,85 мм (было 1 мм), что упрощает интеграцию в ультратонкие смартфоны.

Скорость последовательного чтения достигает 4300 МБ/с — рекорд для стандарта UFS 4.0/4.1. Производительность при случайном чтении и записи выросла на 15% и 40% соответственно, что ускоряет загрузку приложений и обработку данных для локального ИИ.

SK Hynix планирует завершить сертификацию UFS 4.1 до конца 2025 года, а массовые поставки начнутся в первом квартале 2026-го. Накопители будут доступны в версиях на 512 ГБ и 1 ТБ. Как отмечает источник, решение усилит позиции компании на рынке флагманских смартфонов, где спрос на мощные и энергоэффективные хранилища растёт благодаря внедрению ИИ-функций.

Источник: Fonarena