SanDisk начала поставки образцов 332-слойной флеш-памяти BiCS10 3D NAND

Компания Sandisk объявила о начале поставок инженерных образцов своей 10-й генерации 3D NAND-памяти BiCS10 ёмкостью 1 Тбит (TLC). Как сообщается в пресс-релизе, новое решение предлагает плотность хранения данных более 29 Гбит на квадратный миллиметр, что на 59% выше по сравнению с предыдущим поколением BiCS8. Интерфейс памяти обеспечивает скорость до 4,8 Гбит/с — прирост на 33%.

В основе BiCS10 — фирменная архитектура BiCS (Bit-Cost Scalable) и технология CBA (CMOS directly Bonded to Array), при которой логика и массив памяти изготавливаются на отдельных пластинах и затем соединяются с высокой точностью. Количество слоёв увеличено до 332. В чипе используется интерфейс Toggle DDR6.0, протокол SCA и технология PI-LTT для снижения энергопотребления при передаче данных.

По словам технического директора Sandisk Альпера Илькбахара (Alper Ilkbahar), BiCS10 развивает технологическую базу, заложенную в BiCS8, и обеспечивает более высокую скорость, плотность и энергоэффективность для работы с интенсивными и AI-нагрузками. Заявлено снижение энергопотребления на вводе данных на 10%, на выводе — на 34%.

На данный момент речь идёт о начальной стадии — поставках образцов для производителей. О сроках запуска массового производства пока не сообщается.