Главная » Новости » 2010 » 10 » 13 13 октября 2010

Elpida и Sharp совместно разработают память нового поколения

Японские компании Elpida Memory и Sharp намерены совместно разработать память нового поколения. Сроком коммерциализации разработки назван 2013 год.

Под памятью нового поколения партнеры подразумевают энергонезависимую резистивную память с произвольным доступом, получившую обозначение ReRAM. Она потребляет меньше энергии и по быстродействию превосходит флэш-память типа NAND в 10000 раз, сохраняя записанные данные после отключения питания.

В проекте участвует японская правительственная организация NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) и университет Токио.

Производители уже давно работают над созданием памяти, которая могла бы заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM) и энергонезависимую память (в этом качестве сейчас преимущественно выступает флэш-память типа NAND). Память типа ReRAM отлично подходит на такую роль, превосходя оба указанные типа памяти, утверждает Elpida. Первые сведения о ReRAM появились в новостях несколько лет назад.

Источник: Reuters

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2010

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.